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20、请务必阅读正文之后的免责条款部分摘要,第三代半导体材料是以碳化硅,氮化镓为代表的宽禁带半导体材料,以碳化硅为衬底制成的功率器件相比硅基功率器件,具有耐高压,耐高温,能量损耗低,功率密度高等优势,可实现功率模块小型化,轻量化,主要应用于新能源。
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