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第三代半导体行业报告：产业链梳理及衬底、外延、器件环节解析-221009（80页）.pdf

上传人：小** 编号：102031 2022-10-10 PDF PDF 80页 4.69MB 6张图表

该报告所属合集： 2026年第三代半导体报告合集

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第三代化合物半导体材料以碳化硅和氮化镓为代表。第三代半导体物理性能相对更出色，有望实现各个领域全面替代。在禁带宽度、介电常数、导热率及最高工作温度等方面碳化硅、氮化镓性能更为出色，在5G通信、新能源汽车、光伏等领域，头部企业逐步使用第三代半导体。在高压、高频、高温领域以碳化硅和氮化镓为代表的第三代半导体衬底材料市场规模有望迎来快速发展机遇，待成本下降有望实现全面替代。

报告速读

本文主要从产业链角度分析了碳化硅（SiC）行业的发展现状和趋势。文中指出，SiC产业链主要包括衬底、外延和器件三个环节，其中衬底环节价值量占比最高，接近50%。2020-2025年全球SiC衬底市场规模CAGR有望超过30%，衬底占SiC产业价值量近一半。SiC器件性能优势明显，国内外企业群雄并起，预计到2030年全球碳化硅功率器件市场规模有望突破500亿元。文中还指出，SiC行业受新能源汽车等下游应用市场快速增长的推动，需求规模保持高速增长。国内企业有望在衬底和器件环节实现国产替代，建议关注各环节技术领先的龙头企业。