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1、I摘 要摘 要2024 年,全球半导体产业销售额实现 19%的增长,达到 6280 亿美元。在新能源汽车、消费电子、人工智能、5G-A 等需求拉动下,国内第三代半导体产业保持高增长态势。市场方面,市场方面,2024 年国内第三代半导体功率器件市场规模为 176亿元,同比增长 14.8%。其中,新能源车用市场突破 120 亿元,消费电子市场突破 21 亿元,两者是市场主要驱动力量。2024 年国内氮化镓(GaN)射频器件市场规模为 108 亿元,同比增长 4.5%,其中,无线基础设施市场为 51 亿元,安防与航天市场为 50 亿元,无人机等新应用开始渗透。光电子 LED 器件市场 784 亿元,
2、同比微增 0.2%。其中,通用照明应用平稳微降,车用 LED、Mini 背光、非视觉应用等实现较快增长。供给方面,供给方面,2024 年国内第三代半导体产业(衬底、外延、芯片器件、模块)功率电子产值 202 亿元,射频电子产值 45 亿元,光电子领域 LED 产值 1108 亿元。国内碳化硅(SiC)衬底产能快速扩张,同比增长 150%左右,价格快速下滑。晶圆制造能力大幅提高,国产SiC MOSFET 器件开始应用于新能源汽车主驱系统,SiC 模块实现大批量供应。GaN 功率电子产能利用率和产量快速提升,龙头企业出货量翻倍增长。射频电子产能基本保持平稳,国产化率进一步提升。光电子 LED 企业
3、加大在新型显示及超越照明市场布局。龙头企业加大整合并购力度,供应链间合作更加广泛。产业格局方面产业格局方面,SiC 材料龙头天岳先进、天科合达、瀚天天成、II东莞天域市场占有率进一步提高,进入全球第一梯队,以芯联集成为代表的一批国内 SiC 芯片制造企业产品批量供给能力显著提升。GaN功率器件企业英诺赛科市场占有率成为全球第一。GaN 射频电子竞争格局保持基本稳定。光电子 LED 领域,大陆芯片企业营收占全球的近 60%,全球 LED 封装营收前十企业中,大陆企业占据四席。技术方面,技术方面,功率电子领域,国内 SiC 衬底 6 英寸规模化供货,8英寸开始量产,12 英寸研发成功。沟槽型 Si
4、C MOSFET 芯片工艺流程贯通。6 英寸 GaN 单晶衬底完成工艺开发,开始小批量生产,8 英寸蓝宝石基 GaN 单晶实现厚膜生长。GaN 功率器件耐压水平拓展至1200V-10kV,双面散热、驱动集成封装产品持续推出。射频电子领域,GaN 射频异质集成技术成为热点,面向移动终端的 GaN 解决方案启动部署。光电子领域,Micro-LED 红光亮度提升,全彩化技术路线快速演进,紫外光源与探测、大功率激光器产业化能力提升。总体来说,2024 年第三代半导体市场需求稳步增长,新能源汽车、消费电子、无线基础设施等仍是市场主要驱动力,人工智能、AR 眼镜、无人机、机器人等新应用也逐渐开启,大尺寸单
5、晶生长取得突破,芯片和器件制造工艺等不断改进,规模化制造能力日益提升,装备国产化率大幅提高,龙头企业进入全球领先梯队。在全球市场复苏和国家“两新”、“两重”、“双碳”等政策助力下,第三代半导体产业将催生更多新增长点,预计 2025 年相关功率及射频电子产值增速有望达到 20%以上。III目录目录一、形势与政策.1(一)半导体市场呈现高速增长态势.1(二)国际贸易摩擦影响供应链稳定.2(三)各国持续布局第三代半导体.3二、市场应用.4(一)功率电子.5(二)射频电子.14(三)光电子.18三、生产供给.18(一)功率电子.19(二)射频电子.28(三)光电子.30四、产业格局.33(一)功率电子
6、.34(二)射频电子.38(三)光电子.39五、产品/技术进展.40(一)功率电子.40(二)射频电子.44(三)光电子.46六、其他.49(一)装备及原材料进展.50(二)超宽禁带半导体进展.52(三)标准进展.55七、2025 年展望.58附件:2024 年第三代半导体产业大事记(Top10).621一、形势与政策一、形势与政策2024 年,全球半导体市场呈现出强劲增长态势。生成式人工智能需求、汽车行业增长、物联网设备扩展和 5G+技术部署成为主要市场驱动。伴随地缘政治影响,经贸格局变革,全球半导体供应链格局加快重构。国内半导体行业国产替代加速,集成电路出口突破万亿大关。第三代半导体作为半