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1、12024 年深芯盟国产半导体前道设备+第三代半导体（SiC）设备调研分析报告2024 年深芯盟国产半导体前道设备+第三代半导体（SiC）设备调研分析报告报告概要报告概要深芯盟半导体产业研究部对近百家国产半导体设备厂商进行统计和分析，涵盖薄膜沉积、光刻、刻蚀、离子注入、量测与检测、清洗、去胶、涂胶显影、热处理设备。本报告主要内容包括半导体前道设备、第三代半导体（SiC）设备两大部分，对相关技术趋势做了简要概述，收集了近百家国产设备厂商信息，并对其中的上市公司进行了量化分析和 Top10 排名。此外，对于每家收录的公司，我们都从核心技术、主要产品、应用场景和市场竞争力等方面进行了全方位画像分析。

2、2报告目录报告目录一、国产半导体前道设备一、国产半导体前道设备1.热处理设备2.薄膜沉积设备3.CMP 设备4.涂胶显影设备5.光刻设备6.刻蚀设备7.去胶设备8.离子注入设备9.清洗设备10.量测与检测设备二、国产半导体设备厂商排行榜三、第三代半导体（SiC）设备二、国产半导体设备厂商排行榜三、第三代半导体（SiC）设备1.SiC 长晶设备2.SiC 切割设备3.SiC 研磨设备4.SiC 抛光设备5.SiC 离子注入设备6.SiC 退火设备7.SiC 清洗设备38.SiC 外延设备四、国产半导体设备厂商汇编五、结语与展望四、国产半导体设备厂商汇编五、结语与展望4一、国产半导体前道设备一、国

3、产半导体前道设备1.热处理设备1.热处理设备热处理设备市场概况热处理设备市场概况半导体热处理工艺是材料在固态下，通过加热、保温和冷却的手段，以获得预期组织和性能的加工工艺，是半导体制造过程中的一个重要环节，它包括氧化、扩散、退火、合金等多个工艺步骤氧化：将硅片放置于氧气或水蒸气氧化剂的氛围中进行高温热处理，在硅片表面发生化学反应形成氧化膜的过程；扩散：指在高温条件下，利用热扩散原理将杂质元素按工艺要求掺入硅衬底中，使其具有特定的浓度分布，从而改变硅材料的电学特性；退火：指加热扩散、离子注入等工艺后的硅片，修复带来的晶格缺陷的过程；合金：指通过在惰性气体的环境中进行低温热处理，使金属（如铝和铜）

4、与硅基形成良好的结合，提高配线的可靠性。根据 Gartner 统计 2022 年全球热处理设备市场规模约为 30 亿美元；从市场结构来看，全球热处理设备市场主要分为三种设备，其中快速热处理设备 14.1 亿美元，占比 47%，氧化/扩散炉 10.8 亿美元，占比 36%。从竞争格局来看，全球热处理设备市场由应用材料、TEL 和日立国际电气垄断，占有率分别为 46%、21%、15%，国产厂商有所突破，屹唐半导体份额约 5%，北方华创份额 0.2%。根据 Gartner 预测，2023 年全球热处理设备市场规模大约增长 5%，约为 31.5 亿美元。据集微咨询（JW Insights）测算，202

5、3 年中国半导体热处理设备市场规模约为 90 亿元，未来半导体热处理市场将保持较好的上升空间预计到 2028 年，中国半导体热处理将超5过 200 亿元。图：中国半导体热处理设备市场规模（单位：亿元）资料来源：集微咨询热处理设备分类及应用热处理设备分类及应用热处理设备也被称为炉管设备，用于半导体前道工艺中的热处理工艺，热处理过程是指将晶圆放置在特定气体环境中施加热能的过程，包括氧化、扩散、退火等。热处理设备主要用于氧化、扩散、退火以及合金四类工艺。按设备形态可分为卧式炉、立式炉和快速热处理炉三类。卧式炉和立式炉的区别在于反应腔形态。由于立式炉具有占地小、成本低、可批量热处理、可控性高的优点，目

6、前使用最为广泛。但是卧式炉和立式炉都是将腔体与置于其中的硅片一同升降温，所以升降温速率较慢，一次可以放置 100 到 200 片晶圆。而快速热处理炉（RTP）只改变其中晶圆的温度而不改变腔体温度，因此可以进行快速退火，但只能处理单片晶圆。6氧化/扩散炉：多用于大规模集成电路、分立器件、电力电子、光电器件和光导纤维等行业的扩散、氧化、退火、合金及烧结等工艺。氧化是将硅片放置于氧气或水汽等氧化剂的氛围中进行高温热处理，在硅片表面发生化学反应形成氧化膜的过程。扩散是指在高温条件下，利用热扩散原理将杂质元素按工艺要求掺入硅衬底中，使其具有特定的浓度分布，从而改变硅材料的电学特性；快速热处理设备：一种单