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1、1 I 前 言 伴随半导体产业逐渐复苏，以及电动汽车、新能源、消费类电子、5G 通信等应用市场的需求带动，2023 年第三代半导体产业保持高速增长态势。2023 年年，国际上以龙头企业为代表国际上以龙头企业为代表，不断开发领先技术不断开发领先技术、加快迭加快迭代新产品代新产品、持续扩张产能持续扩张产能、强化供应链合作强化供应链合作，并通过整合并购等策略并通过整合并购等策略，逐步建立起相对明朗的竞争格局逐步建立起相对明朗的竞争格局。市场方面市场方面，2023 年全球碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）功率电子市场规模约 30.7 亿美元，电动和混合动力汽车（EV/HEV）市场占比约 70%，是核心

2、市场驱动力。射频电子（GaN RF）市场规模约为 15 亿美元，其中电信基础设施是第一大应用市场，占比超过 50%。供给方面供给方面，SiC 功率电子投资热情持续，2023 年全球新增投资约 260 亿美元。射频电子因 5G 通信基础设施建设进程放缓，产能产线趋于稳定。LED 光电子领域仍以Mini/Micro-LED 为主要投资和扩产方向。龙头企业通过供应链合作、整合并购，建立“SiC+GaN”双业务引擎。企业格局方面企业格局方面，SiC 衬底环节，Wolfspeed、Coherent 市场占比全球领先；功率电子器件环节 ST、Infineon、Onsemi、Wolfspeed、Rohm 等

3、五大家，市场总占比达到 82%，行业头部格局确立。射频电子领域，Sumitomo、Qorvo、Macom（收购 Wolfspeed 射频业务）、NXP、RFHIC 等全球领先，五大家市场总占比达到 71%。技术进展方面技术进展方面，8 英寸 SiC 衬底、外延加快开发；液相法晶体生长技术、复合衬底技术、激光切割技术等促进成本降低；II 除全 SiC 模块之外，SiC MOSFET 和 Si IGBT 的融合模块设计受到关注；基于 GaN 衬底的极性超结 GaN FET 耐压达到万伏；发布集成双GaN 开关管的 AHB 半桥芯片；3D 堆叠技术为制备 12 英寸 GaN-on-Si 晶圆提供新路

4、径。开发出基于 SiC 和蓝宝石衬底的 N-face 结构 W波段的射频器件；推出基于 8 英寸技术的 GaN-on-Si 功率放大器。国内来看国内来看，2023 年第三代半导体技术和产业化加快发展年第三代半导体技术和产业化加快发展。市场市场方面方面，SiC 和 GaN 功率电子器件模块市场约 153.2 亿元，同比增长45%，国产产品主要以光伏逆变、消费电子应用为主，电动汽车主逆变器市场开始逐步渗透。射频电子（GaN RF）器件模块市场约 102.9亿元，同比增长 16.2%。LED 器件市场 782.2 亿元，同比微增 0.5%。供给方面供给方面，功率电子生产活跃，射频电子趋于稳定，LED

5、 光电子领域除 Mini/Micro-LED 外，其他方向缓慢复苏。2023 年国内 SiC 衬底产量 75 万片、外延产量 65 万片、芯片器件产量 40 万片（以上均折合6 英寸）；资本市场持续活跃，投融资热情仍然高涨，新增 SiC 投资增长 44%，金额超千亿，多家企业完成或正在 IPO。企业格局方面企业格局方面，功率电子领域，头部企业优势愈发凸显，竞争梯队逐步形成；射频电子领域格局相对稳定，产品国产化率超 30%；LED 行业进入成熟期，竞争格局确定。产业化产业化技术方面技术方面，SiC 8 英寸衬底基本完成验证，开始小批量供货；国产 SiC MOSFET 新品同比翻倍增加，新能源汽车

6、主驱开始验证应用；推出 4 引脚 TO-247-4L GaN 功率器件；推出开关频率 MHZ1000w GaN 功率模块电源。开发出 Si 基 GaN 低压射频器件，拓展手机终端应用可能；推出 0.25m 和 0.15m GaN MMIC 代III 工业务。LED 无荧光粉照明实现了整灯光效 100lm/W；Micro-LED 红光芯片效率达到 15%（20*40m 20uA）；量产 UVC LED 芯片电光转化效率超过 5%。总体来看，2023 年第三代半导体产业取得显著进步。国产 SiC 衬底、外延均进入国际供应链体系，行业投融资与扩产热情不减，头部企业加快与国际巨头的合作，产业格局在逐步