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深企投产业研究院:2025第三代半导体产业链研究报告(74页).pdf

上传人: 深企****究院 编号:714194 2025-06-20 74页 3.37MB

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根据报告的内容,本文主要概括了第三代半导体碳化硅和氮化镓的发展情况,包括以下关键点: 1. **碳化硅发展**:碳化硅功率器件市场规模在2023年达到27.46亿美元,预计到2029年将增长至98.73亿美元,年复合增速24%。中国碳化硅衬底产能占全球70%,价格较国际厂商低30%-40%。 2. **氮化镓发展**:氮化镓功率器件市场规模在2023年达到2.602亿美元,预计到2029年将增长至20.1亿美元,年复合增速41%。全球氮化镓射频器件市场规模在2023年达到11亿美元,预计到2029年将增长至20亿美元,年复合增速10%。 3. **设备国产化**:碳化硅单晶炉、外延炉已基本实现国产化,但离子注入机、刻蚀设备等国产化率较低。氮化镓外延设备主要依赖进口,国产化率有待提升。 4. **应用领域**:碳化硅主要应用于新能源汽车、光伏等领域,氮化镓主要应用于5G通信、消费电子等领域,两者在高功率应用场景中存在一定重叠。 5. **企业情况**:碳化硅领域中国企业天科合达、天岳先进等在全球市场占有一定份额。氮化镓领域中国企业英诺赛科在全球功率器件市场占有领先地位。
第三代半导体材料有哪些优势? 碳化硅和氮化镓的应用领域有哪些不同? 国产碳化硅设备发展现状如何?
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