1、I摘 要摘 要2024 年，全球半导体产业销售额实现 19%的增长，达到 6280 亿美元。在新能源汽车、消费电子、人工智能、5G-A 等需求拉动下，国内第三代半导体产业保持高增长态势。市场方面，市场方面，2024 年国内第三代半导体功率器件市场规模为 176亿元，同比增长 14.8%。其中，新能源车用市场突破 120 亿元，消费电子市场突破 21 亿元，两者是市场主要驱动力量。2024 年国内氮化镓（GaN）射频器件市场规模为 108 亿元，同比增长 4.5%，其中，无线基础设施市场为 51 亿元，安防与航天市场为 50 亿元，无人机等新应用开始渗透。光电子 LED 器件市场 784 亿元，

2、同比微增 0.2%。其中，通用照明应用平稳微降，车用 LED、Mini 背光、非视觉应用等实现较快增长。供给方面，供给方面，2024 年国内第三代半导体产业（衬底、外延、芯片器件、模块）功率电子产值 202 亿元，射频电子产值 45 亿元，光电子领域 LED 产值 1108 亿元。国内碳化硅（SiC）衬底产能快速扩张，同比增长 150%左右，价格快速下滑。晶圆制造能力大幅提高，国产SiC MOSFET 器件开始应用于新能源汽车主驱系统，SiC 模块实现大批量供应。GaN 功率电子产能利用率和产量快速提升，龙头企业出货量翻倍增长。射频电子产能基本保持平稳，国产化率进一步提升。光电子 LED 企业

3、加大在新型显示及超越照明市场布局。龙头企业加大整合并购力度，供应链间合作更加广泛。产业格局方面产业格局方面，SiC 材料龙头天岳先进、天科合达、瀚天天成、II东莞天域市场占有率进一步提高，进入全球第一梯队，以芯联集成为代表的一批国内 SiC 芯片制造企业产品批量供给能力显著提升。GaN功率器件企业英诺赛科市场占有率成为全球第一。GaN 射频电子竞争格局保持基本稳定。光电子 LED 领域，大陆芯片企业营收占全球的近 60%，全球 LED 封装营收前十企业中，大陆企业占据四席。技术方面，技术方面，功率电子领域，国内 SiC 衬底 6 英寸规模化供货，8英寸开始量产，12 英寸研发成功。沟槽型 Si

4、C MOSFET 芯片工艺流程贯通。6 英寸 GaN 单晶衬底完成工艺开发，开始小批量生产，8 英寸蓝宝石基 GaN 单晶实现厚膜生长。GaN 功率器件耐压水平拓展至1200V-10kV，双面散热、驱动集成封装产品持续推出。射频电子领域，GaN 射频异质集成技术成为热点，面向移动终端的 GaN 解决方案启动部署。光电子领域，Micro-LED 红光亮度提升，全彩化技术路线快速演进，紫外光源与探测、大功率激光器产业化能力提升。总体来说，2024 年第三代半导体市场需求稳步增长，新能源汽车、消费电子、无线基础设施等仍是市场主要驱动力，人工智能、AR 眼镜、无人机、机器人等新应用也逐渐开启，大尺寸单

5、晶生长取得突破，芯片和器件制造工艺等不断改进，规模化制造能力日益提升，装备国产化率大幅提高，龙头企业进入全球领先梯队。在全球市场复苏和国家“两新”、“两重”、“双碳”等政策助力下，第三代半导体产业将催生更多新增长点，预计 2025 年相关功率及射频电子产值增速有望达到 20%以上。III目录目录一、形势与政策.1（一）半导体市场呈现高速增长态势.1（二）国际贸易摩擦影响供应链稳定.2（三）各国持续布局第三代半导体.3二、市场应用.4（一）功率电子.5（二）射频电子.14（三）光电子.18三、生产供给.18（一）功率电子.19（二）射频电子.28（三）光电子.30四、产业格局.33（一）功率电子

6、.34（二）射频电子.38（三）光电子.39五、产品/技术进展.40（一）功率电子.40（二）射频电子.44（三）光电子.46六、其他.49（一）装备及原材料进展.50（二）超宽禁带半导体进展.52（三）标准进展.55七、2025 年展望.58附件：2024 年第三代半导体产业大事记（Top10）.621一、形势与政策一、形势与政策2024 年，全球半导体市场呈现出强劲增长态势。生成式人工智能需求、汽车行业增长、物联网设备扩展和 5G+技术部署成为主要市场驱动。伴随地缘政治影响，经贸格局变革，全球半导体供应链格局加快重构。国内半导体行业国产替代加速，集成电路出口突破万亿大关。第三代半导体作为半