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1、 I 目 录 前前 言言 . II 一、国际第三代半导体产业进展、国际第三代半导体产业进展 . 1 （一）各经济体以前所未有的力度扶持半导体产业 . 1 （二）技术和产品商业化加速 . 3 （三）龙头企业不断完善全产业链布局 . 11 （四）市场规模持续增长 . 14 二、中国第三代半导体产业进展、中国第三代半导体产业进展 . 21 （一）各级政策联动，扶持力度不断增强 . 21 （二）研发实力提升，与先进水平差距缩小 . 28 （三）政策市场双轮驱动，产业规模保持高速增长 . 38 （四）市场加速渗透，新应用逐步开启 . 52 三、总结与展望、总结与展望 . 64 II 前前 言言 当前，国

2、际上第三代半导体材料、器件已实现了从研发到规模性量产的成功跨越，并进入产业化快速发展阶段，在新能源汽车、高速轨道交通、5G 通信、光伏并网、消费类电子等多个重点领域实现了应用突破。未来 5 年将是第三代半导体产业发展的关键期，全球资本加速进入第三代半导体材料、器件领域，产能大幅度提升，企业并购频发，正处于产业爆发前的“抢跑”阶段。第三代半导体是我国“十三五”时期重点布局的方向，产业化核心技术取得突破、产业布局较为全面、市场应用逐步开启，自主可控能力逐渐增强，整体竞争力不断提升。 2020 年， 我国第三代半导体产业面临复杂的外部环境。 全球新冠疫情持续蔓延，世界经济严重衰退，国际贸易投资萎缩，

3、中国经济面临的不稳定、 不确定因素显著增多； 逆全球化思潮泛滥、 贸易战频发，中美、 日韩等贸易战给全球半导体和电子制造商带来了供应链安全风险；国际第三代半导体龙头企业显现领先优势，逐步建立行业壁垒，或对国内产业造成一定冲击。与此同时，多因素促成我国第三代半导体产业逆势上涨。 提振信心的 5G、 AI、 物联网、 大数据等市场提速，新能源汽车、PD 快充、5G 和新型显示时代的来临，应用市场对第三代半导体的需求已经开始呈现出前所未有的增长趋势。 下游企业从供应链安全角度考虑，导入国产器件，国内产品获得了试用、改进的机会；政策支持力度更大、资本市场更活跃，推动第三代半导体产业链布局加快；新基建、

4、“碳达峰、碳中和”的政策与规划密集推出，第 III 三代半导体材料和器件应用于清洁能源领域如光伏、风电等，以及提升能源使用效率领域如直流特高压输电、新能源汽车、轨道交通等，将对实现“碳达峰、碳中和”起到至关重要的作用。 在此背景下，我国第三代半导体产业持续稳定发展。技术方面技术方面，研发能力逐步提升，量产技术逐渐成熟。国际 SiC 商业化衬底以 6 英寸为主，逐步向 8 英寸过渡；国内 SiC 商业化衬底以 4 英寸为主，逐步向 6 英寸过渡；国内外 SiC 基 GaN 外延片主流尺寸为 4 英寸，并逐步向 6 英寸发展；Si 基 GaN 外延片主流尺寸为 6 英寸，并逐步向8 英寸发展。Si

5、C MOSFET 产品相继推出，车规级成为关注焦点，多家企业推出符合 AEC-Q101 标准的 SiC、 GaN 量产产品。 GaN 电力电子器件实现 650V 产品量产能力，主要应用于 PD 快充。商业化 GaN射频器件供应上量，下游应用市场快速开启。黄光 LED 芯片发光效率达到 27.9%，世界领先；UVA 波段紫外 LED 已有成熟的商业化产品并能满足应用的需求，外量子效率已超过 40%；UVC 波段深紫外LED 产品的外量子效率约 5%。 Mini/Micro-LED 技术取得了较快速的进展， Mini-LED背光产品密集发布， 规模商业化应用已经开启； Micro-LED 巨量转移

6、效率不断提升，多家厂商展出样机。产业方面产业方面，国际主要企业大力完善产业布局，通过调整业务领域、整合并购等方式，树立市场优势地位； 国内企业强化布局， 第三代半导体产业进入扩张期；产线陆续开通，大尺寸晶圆渐成主流；产能进一步增长，供给仍然不足。市场方面市场方面，SiC 功率器件价格持续下降，与 Si 器件价差进一步缩小；新能源汽车成为市场的主要拉动力，上下游合作趋势日益明显， IV 第三代半导体产品加速进入汽车供应链；5G 基站开始大规模建设，整体市场超千亿；快充市场爆发，对第三代半导体的需求呈现了前所未有的增长趋势；Mini/Micro-LED 以及紫外 LED 市场市场前景较为明确，产业