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【研报】电子行业深度报告:第三代半导体SIC爆发式增长的明日之星-20200917(31页).pdf

上传人: 科*** 编号:19391 2020-09-21 31页 1.49MB

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本文主要分析了第三代半导体SIC材料和器件的市场前景。SIC材料相比传统硅材料具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率等性能优势,适用于5G射频器件和高电压功率器件。SIC器件如SIC MOS在新能源车、充电桩、光伏等领域具有明显的发展前景。预计未来5-10年SIC器件复合增速40%,2025年全球SIC器件市场规模将超过100亿美元。目前SIC晶片市场主要被美国厂商垄断,但国内企业如天科合达、山东天岳等已初具规模,有望受益于行业爆发和国产替代。
碳化硅器件市场前景如何? 我国第三代半导体产业发展现状如何? 碳化硅晶片技术难点有哪些?
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