新材料行业第三代半导体系列一：同质外延SiC需求广阔掘金百亿高成长赛道-230306（33页）.pdf

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1、 证券研究报告证券研究报告 请务必阅读正文之后第请务必阅读正文之后第 34 页起的免责条款和声明页起的免责条款和声明 同质外延同质外延 SiC 需求广阔，掘金百亿高成长赛道需求广阔，掘金百亿高成长赛道 新材料行业第三代半导体系列一2023.3.6 中信证券研究部中信证券研究部 核心观点核心观点 李超李超 新材料行业首席 分析师 S1010520010001 陈旺陈旺 新材料分析师 S1010520090003 SiC 器件性能优势显著，下游应用环节器件性能优势显著，下游应用环节广阔，在高功率应用上替代硅基产品具广阔，在高功率应用上替代硅基产品具有强确定性，有强确定性，预计预计未来几年行业将保持

2、高增速。未来几年行业将保持高增速。当前时间点，国内龙头企业不当前时间点，国内龙头企业不断扩张产能，抢占市场份额，有望打破海外垄断，投资价值凸现。建议关注衬断扩张产能，抢占市场份额，有望打破海外垄断，投资价值凸现。建议关注衬底底、外延、外延环节具有技术优势且持续获得下游订单的环节具有技术优势且持续获得下游订单的龙头企业龙头企业。第三代半导体适用于高压、高频、高温、高功率领域第三代半导体适用于高压、高频、高温、高功率领域。第三代半导体材料具有更宽的禁带、更高的击穿电场、更高的热导率、更高的电子饱和速率，在高压、高频、高温、高功率等领域具有更强的适用性。2021 年 GaN 全球渗透率约 0.2%，

3、SiC 渗透率近 2%。SiC 商用更加成熟，在高功率应用中优势地位凸显，在光伏新能源、轨道交通、智能电网、新能源汽车及充电桩等领域均具有广泛应用。SiC 产业链材料环节至关重要，衬底技术密集，外延承上启下产业链材料环节至关重要，衬底技术密集，外延承上启下。SiC 产业链包含单晶生长、衬底制备、外延生长、芯片制造、器件制造、模块封装和终端应用等环节。在材料端，衬底制备难度大，需解决生产速率慢、缺陷控制不易、产品良率低等问题，是产业链中技术密集型和资金密集型的环节；外延生长是承上启下的关键一环，外延可以大幅优化衬底形貌，有效减弱晶体生长与加工中引入的缺陷所造成的不利影响，进而显著提升 SiC 器

4、件的性能与可靠性。海外占据海外占据 SiC 市场主流，国内龙头快速追赶市场主流，国内龙头快速追赶。当前美欧日占据全球 SiC 产业主要市场，其中美国一家便占有全球 70%-80%的 SiC 产量，但行业尚处于发展早期，国内企业有望在快速成长中做大做强，挑战海外巨头垄断地位。衬底方面，2021 年半绝缘型 SiC 厂商天岳先进市占率 30%，2018 年导电型 SiC 厂商天科合达市占率 1.7%，两家扩产规划持续推进。外延方面，国内龙头公司东莞天域、瀚天天成近年亦在快速扩张产能，有望大幅提升市占率。多领域驱动多领域驱动 SiC 需求需求，同质外延片，同质外延片 2025 年年国内国内市场市场规

5、模有望规模有望超超百亿百亿。我们测算我们测算：（1）新能源车方面，电机驱动系统、车载充电系统、电源转换系统构成 SiC 最大市场，我们预计 2025 年 SiC 需求 118 万片（对应 6 英寸，下同）；（2）充电桩方面，高压充电桩解决充电速度+里程焦虑问题，我们预计 2025 年 SiC 需求 33 万片；（3）光伏方面，SiC 大幅改善光伏逆变器性能，我们预计 2025 年SiC 需求 16 万片。综上，预计 2025 年中国导电型碳化硅需求量将达 202 万片，对应未来三年 CAGR 为 65.53%，对应导电型 SiC 衬底市场需求约 100 亿元，对应 SiC 同质外延片市场需求约

6、 191 亿元。风险因素：风险因素：下游需求放量不及预期；技术渗透率提升速度不及预期；产能扩张速度不及预期；其他技术创新对 SiC 的影响。投资策略投资策略：SiC 器件性能优势显著，下游应用环节广阔，在高功率应用上替代硅基产品具有强确定性，预计未来几年行业将保持高增速。在当前时间点，国内龙头企业不断扩张产能，抢占市场份额，有望打破海外垄断，投资价值凸现。建议关注衬底环节具有技术优势且持续获得下游订单的天科合达、天岳先进、东尼电子、南砂晶圆，以及在外延环节持续扩张产能的龙头公司东莞天域、瀚天天成。新材料新材料行业行业 评级评级 强于大市（维持）强于大市（维持）新材料新材料行业行业第三代半导体系