晶体生长设备

1、单晶趋势明显,硅片持续扩产pp单晶份额占比不断提升,我国组件出口金额不断扩大,随着光伏市场的不断发展,perc等高效电池路线逐渐成为市场主流,推动单晶硅片市场份额持续扩大,根据CPIA统计,2020年单晶硅片市场占比约90,2。

2、SiC碳化硅是制作高温高频大功率高压器件的理想材料之一,由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料,相比传统的硅材料Si,碳化硅SiC的禁带宽度是硅的3倍,导热率为硅的45倍,击穿电压为硅的8倍,电子饱和漂移速率为硅的2倍。

3、晶体生长过程中对氧含量指对晶体硅碳化硅真空度等指标的严格要求,指标不能在线测量,在单晶生长中需要复杂的外部工艺配合,晶体的等径控制技术和液面控制,单晶直径在生长过程中受到温度提拉速度与转速坩埚跟踪速度与转速保护气体的流速与温度等因素影响。

4、上市公司公司研究公司深度证券研究报告电力设备2022年03月31日晶盛机电300316晶体生长设备龙头,碳化硅培育增长新曲线报告原因,首次覆盖买入首次评级投资要点,国内长晶设备龙头,半导体业务快速卡位,晶。

5、如果这一步控制的不到位,晶体生长的质量会出问题,会影响钙钛矿层的质量,后续再考虑提升光电的转换效率就非常困难,涂布最大的问题是难以结晶的质量。

6、请务必阅读正文之后的免责声明及其项下所有内容证券研究报告证券研究报告,20232023年年0404月月2424日日CC晶升,晶升,688478,SH688478,SH,半导体晶体生长头部企业半导体晶体生长头部企业核心观点核心观点公司研究公司。

7、前三季度该业务毛利率分别为,智能化加工设备毛利率基本稳定在,左右,前三季度该业务毛利率分别为,后续设备收入口径合并,年及公司设备及其服务毛利率分别为,和,维持在较高水平。

8、碳化硅材料端的生产难度,长晶慢,切割磨损高,扩径难,外延设备产能有限且交期长等,我们认为,公司的技术优势稳固,并有望通过率先实现衬底的商业化落地进一步提升其竞争力。

9、产单晶硅,泡生法生产蓝宝石,PVT法生长碳化硅等几种主流晶体生长方式,晶体生长的温度都达到了1400以上的高温,其中碳化硅和蓝宝石的生长过程都达到了2500高温,长晶炉加工制作工艺的精密要求高,要求反应室及炉体具有优异的密封性,耐高温和隔热。

10、践行三维发展策略,深耕集成电路关键设备领域,扩展在泛半导体关键设备领域应用并探索其他新兴领域的机会,公司将从刻蚀设备延伸到化学薄膜,检测等其他IC关键设备领域,同时拓展在泛半导体领域设备的应用如显示,MEMS,功率器件,太阳能领域的关当前公。

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