晶盛机电-再论晶体制造设备材料专家的延展性-210814（24页）.pdf

上传人：栗****苦

编号：49075

2021-08-16

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晶体生长过程中对氧含量(指对晶体硅、碳化硅)、真空度等指标的严格要求。指标不能在线测量，在单晶生长中需要复杂的外部工艺配合。晶体的等径控制技术和液面控制。单晶直径在生长过程中受到温度、提拉速度与转速、坩埚跟踪速度与转速、保护气体的流速与温度等因素影响。实现直径控制和液面位置控制，可以降低生长单晶的缺陷。晶体品质不能在线检测，需要拉制完毕后检测分析。尽可能提高晶体生长工艺的重复性，对于埚转、晶转等工艺指标的变化提供很好的衔接。磁场线圈电流强度需要随着晶体生长工艺参数而改变，实现自动控制系统计算并输出任意时刻应施加的磁场电流。晶体生长设备的核心在于工艺控制，核心部件包括自动控制系统、温度控制和热场等，技术有一定的共通性和延展性。公司在底层关键技术的领先奠定了其在更多晶体领域领先的基础，同时公司还延伸到切、磨、抛、外延等生长后处理阶段，成长为晶体制造一体化设备龙头;在掌握设备制造技术的基础上，延伸到下游材料领域，发展空间不断延展。公司掌握晶体生长中的核心技术，是当之无愧的晶体生长专家根据公司公告，2020 年，公司新增获授权的专利 84 项，其中发明专利 2 项，实用新型 82项。截止 2020 年 12 月 31 日，公司及下属子公司共有有效专利 441 项，其中发明专利 57项。其中公司掌握晶体生长的核心技术主要聚焦于热场、坩埚与自动化控制技术。

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