SiC衬底的晶体生长制备方法对比-行业数据

4）液相外延（LPE），LPE 法将碳化硅籽晶固定在籽晶杆前端，石墨坩埚里装填硅原料及少量掺杂物，在加热至硅融点（1500-1700℃）以上将其融化后，经由籽晶的旋转或是加上坩埚的反向旋转，使熔体里的碳以及掺杂元素均匀散布，再借由缓慢降温使溶液过饱和后在籽晶前端生长出碳化硅晶体。使用 LPE 法生长晶体，其径向生长速度相对可控，可实现无微管缺陷晶体生长，但其晶体生长成本较高。