中微公司-刻蚀+MOCVD龙头内生外延协同打造设备平台-210702（36页）.pdf

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1、根据 2021 年 6 月 SEMI 全球晶圆厂预测报告，未来几年全球将新增 29 座晶圆厂，设备支出 预计将超过 1400 亿美元，其中中国大陆及中国台湾分别有 8 座晶圆厂新 建计划，位列全球第一。此外台积电、中芯国际等代工龙头 2021 年资本 开支显著提升。半导体设备投资快速放量，刻蚀设备作为晶圆设备投资中 占比最高的装备，产品种类多，市场被海外龙头垄断。以长江存储、华虹 无锡、 华力集成的招投标数据为例， 三家晶圆厂的刻蚀环节上国产化率 (以 机台数量计算)平均达到 2030%，国产化进程加速。中微的刻蚀设备种 类较为丰富，三家晶圆厂刻蚀环节国产设备中，中微刻蚀设备占比较高。 此外，

2、 我们有望看到公司按技术路径推出下一代用于更先进制程关键步骤 的 ICP 及 CCP 刻蚀设备，刻蚀设备产品线不断完善，盈利水平及核心竞 争力进一步提升。 MOCVD 设备需求回暖，积极拓展设备需求回暖，积极拓展 Mini LED、功率器件等领域应用。、功率器件等领域应用。公司 MOCVD 设备目前在氮化镓基 LED 领域已经具备领先优势，过去两年 受终端 LED 芯片价格下降及产能释放等影响，MOCVD 设备需求出现下 滑。 公司2021年6 月发布的专为Mini LED量产用设计的Prismo UniMax MOCVD 设备已经取得国内领先客户订单，未来随着 Mini LED、消毒及植 物

3、照明为代表的 LED 新兴市场需求放量，并且公司还将继续拓展功率器 件等领域用 CVD 设备，MOCVD 系列产品需求有望回升。 定增加码研发投入，内生外延协同发展。定增加码研发投入，内生外延协同发展。公司拟定增不超过 100 亿元，其 中约 32 亿元用于扩充公司现有设备产能，与主流半导体设备厂商合作， 开发新产品线;约 38 亿元用于刻蚀、MOCVD、热化学 CVD 等 7 大类新 产品以及零部件、泛半导体设备的研发和产业化;约 31 亿元科技储备资 金用于满足公司与合作伙伴在新产品的协作开发项目、 对外投资并购项目 等需求，公司已投资沈阳拓荆、睿励仪器、山东天岳、理想万里晖、德国 Solayer、中欣晶圆、昂坤视觉、德龙激光等公司，布局薄膜、检测设备、 碳化硅衬底材料、 PECVD、 真空镀膜、 半导体晶圆、 光学测量及检测系统、 精密激光加工设备等领域，推动平台化建设进程，内生外延，紧抓行业机 遇，实现协同发展。