【公司研究】中微公司-从点到面的半导体设备玩家-210525（30页）.pdf

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1、 2008 年，中微公司的设备进入台湾最大的半导体芯片厂台积电。Lam Research 公司于 2009 年 1 月向中国台湾知识产权法院提出诉讼，指控中微公司公司在一关键零部件的设计中侵犯了 Lam 公司的专利。台湾知识产权法院在经过半年的调查后宣布驳回 Lam 公司的诉讼，判断中微公司并没有侵犯 Lam 公司的专利。 2017 年 4 月，Veeco 在纽约东区的联邦法院对中微公司 MOCVD 设备的晶圆承载器 (即石墨盘) 供应商 SGL 展开了专利侵权诉讼, Veeco 认为，在SGL 为中微公司设计的石墨盘产品中侵犯了其专利, 要求禁止 SGL 向中微公司供货并赔偿巨额损失。201

2、8 年 2 月 9 日，Veeco、中微公司和 SGL共同宣布和解。美国政府于 2015 年将刻蚀设备从出口管制清单里删除就是因为中微(AMEC) 能够生产出具有自主知识产权的刻蚀设备，并进入国际一流晶圆厂。 2017 年美国 PCAST(美国总统科学技术咨询委员会)给总统的报告里面提到的唯一一家中国公司是中微公司。除此之外， 中微还担了多项国家科技重大专项， 如由倪图强博士负责的14，10，7，5 纳米 CCP 及 ICP 刻蚀机研发及产业化，其主要目标是改进下电极和晶圆周边结构和性能、开发减少金属污染和颗粒物产生的新材料和新表面处理方法, 满足均匀性、减少金属污染和颗粒物的要求;开发腔体和

3、气体传输系统采用新型的防腐蚀涂层材料，涉及开发射频能量馈入电感式耦合线圈、双控细分多区动态静电吸盘、先进的射频匹配技术及动态、分区域的反应气体注入系统等, 这些目标达到后可改善 14，10，7 纳米集成电路的多膜层结构刻蚀、前端接触孔、有机掩模层刻蚀，及电路的刻蚀如双重/四重图形、模板刻蚀、 边墙刻蚀、减薄刻蚀等从而达国际先进水平。而在 128 层及以上 3D NAND 闪存储器 CCP 刻蚀方面，公司也在设计开发超低频和超大功率的射频等离子系统及对应的静电吸盘、多区控温性能的上电极、温度可调节的边缘环系统等方面投入大量研发费用, 以此满足存储器超高深宽比的刻蚀需求。三、二大外在优势1、全球及

4、国内半导体设备行业稳定加速增长归因于未来数年， 全球 8“特殊逻辑制程因缺乏二手旧设备，厂房，产能扩充不易(仅维持 5%产能扩充复合增长率)，12”成熟逻辑制程(28-90nm)产能扩充因台积电不愿意大幅投入而受限(测算约 10%产能扩充复合增长率)，而 12“先进逻辑制程(16/14, 7, 5, 3, 2, 1nm)因台积电独大且设备昂贵而根据实际订单来计划扩产(测算约 30-40%产能扩充复合增长率)，这些举动都会造成 8“特殊，12”成熟，12“先进制程的设备采购及扩产相对过去稳定，且处于长期供不应求格局。而 DRAM内存制程工艺从之前 19nm 的 1X, 一直到需要使用一台近 10 亿人民币艾斯麦 EUV 光刻机来做 1alpha 10-12nm 及 1 beta 的 8-10nm，及大量使用先进刻蚀机台进行 200 层以上的 3D NAND 闪存制造，我们预估全球半导体设备市场收入未来五年复合增长率达 13-15%，高于全球半导体市场未来五年近 10%的复合增长率。但若根据 SEMI 及 WSTS/SIA 公布的三月份美国半导体晶圆制造设备出货数字同比(+40%)及全球半导体出货数字同比(+16%)来看，这些数据都明显高于长期平均增长率。