中微公司-公司研究系列跟踪报告之七：内生外延实力雄厚国产化持续放量-230529（39页）.pdf

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1、证券研究报告证券研究报告 内生外延实力雄厚，国产化持续放量内生外延实力雄厚，国产化持续放量 中微公司（中微公司（688012.SH688012.SH）系列跟踪报告之七）系列跟踪报告之七 2023年05月29日 作者：作者：光大证券电子通信组首席光大证券电子通信组首席 刘凯，执业证书编号：刘凯，执业证书编号：S0930517100002S0930517100002 光大证券电子通信分析师光大证券电子通信分析师 杨德珩，执业证书编号：杨德珩，执业证书编号：S0930522110003S0930522110003 请务必参阅正文之后的重要声明 核心观点核心观点 1 招商基金BViX3UiYcV5Xg

2、VYZjZ8ZaQdNaQnPpPpNoNiNrRnQlOsRoP9PmMxOMYpMsQvPrMrN请务必参阅正文之后的重要声明 目目 录录 中微公司概况中微公司概况 半导体设备行业发展趋势半导体设备行业发展趋势 公司核心竞争力公司核心竞争力 盈利预测与估值分析盈利预测与估值分析 2 投资建议投资建议 风险分析风险分析 请务必参阅正文之后的重要声明 3 一、中微公司概况一、中微公司概况 请务必参阅正文之后的重要声明 4 1.1.11.1.1、公司业务概况、公司业务概况 中微公司（688012.SH）是一家以中国为基地、面向全球的高端半导体微观加工设备公司，深耕芯片制造刻蚀领域，研制出了国内第

3、一台电介质刻蚀机，核心产品包括：（1）用于IC集成电路领域的等离子体刻蚀设备（CCP&ICP）、深硅刻蚀设备（TSV）；（2）用于LED芯片领域的MOCVD设备。目前公司等离子体刻蚀设备已被广泛应用于国际一线客户从65纳米到14纳米、7纳米和5纳米的集成电路加工制造及先进封装，MOCVD设备在行业领先客户的生产线上大规模投入量产，已成为世界排名前列、国内占主导地位的氮化镓基LED设备制造商。此外，公司正在积极扩展薄膜沉积类设备，例如LPCVD、EPI、ALD等。请务必参阅正文之后的重要声明 5 1.1.21.1.2、公司业务分布及发展历程、公司业务分布及发展历程 请务必参阅正文之后的重要声明

4、6 1.2.11.2.1、公司股权结构及主要子公司情况、公司股权结构及主要子公司情况 请务必参阅正文之后的重要声明 7 1.2.21.2.2、公司核心技术人员、公司核心技术人员 姓名职务 介绍1944年生，美国国籍，中国科学技术大学学士，加州大学洛杉矶分校博士。1984年至1986年，就职于英特尔中心技术开发部，担任工艺工程师；1986年至1991年，就职于泛林半导体，历任研发部资深工程师、研发部资深经理；1991年至2004年，就职于应用材料，历任等离子体刻蚀设备产品总部首席技术官、总公司副总裁及等离子体刻蚀事业群总经理、亚洲总部首席技术官；2004年至今，担任中微公司董事长及总经理。董事（

5、离任）、副总经理 1959年生，美国国籍，上海交通大学学士，美国麻省理工学院硕士、博士。1990年至1999年，历任PraxairInc.高级工程师、经理、董事总经理等；1999年至2001年，担任应用材料全球供应管理经理；2001年至2004年，担任梅特勒-托利多上海子公司总经理；2004年至今，历任中微公司副总裁、资深副总裁、首席运营官。现任中微公司副总经理。倪图强 1962年生，美国国籍，中国科学技术大学学士、硕士，美国德州大学博士、博士后。1995年至2004年，担任泛林半导体技术总监；2004年8月至今，历任中微公司执行总监、副总裁，现任中微公司副总经理。核心技术人员 1947年生，

6、美国国籍，台湾大学学士、美国马里兰大学博士。1985年至1989年，担任英特尔资深工程师；1989年至2003年，担任应用材料资深总监；2004年1月至2004年6月，担任英特尔项目经理；2004年8月至2020年3月，任中微公司副总裁。现任中微公司核心技术人员。核心技术人员 1966年生，美国国籍，西安交通大学学士、硕士。1993年至1995年，担任智群科技股份有限公司项目经理；1995年至2004年，担任应用材料软件部资深总监；2004年至今，担任中微公司核心技术人员。核心技术人员 1958年生，美国国籍，复旦大学学士、美国韦恩大学硕士、美国纽约大学硕士。1990年至1995年，担任美国索