sic

1、2020年年7月月20日日 国内领先的国内领先的SiC晶片生产商晶片生产商 天科合达介绍天科合达介绍 袁健聪袁健聪 李李超超 弓永峰弓永峰 敖敖翀翀 中信证券新材料组中信证券新材料组 中信证券有色钢铁组中信证券有色钢铁组 中信证券中信证券电。

2、 请务必阅读正文之后的免责条款 SiC 功率器件性能卓越,产业化在即功率器件性能卓越,产业化在即 电力设备及新能源行业功率半导体专题之二2020.3.2 中信证券研究部中信证券研究部 核心观点核心观点 弓永峰弓永峰 首席电新分析师 S101。

3、 请务必阅读正文之后的信息披露和法律声明 TableMainInfo 行业研究汽车与零配件 证券研究报告 行业专题报告行业专题报告 2020 年 03 月 15 日 TableInvestInfo 投资评级 优于 优于大市大市 维持维持 市。

4、第三代半导体之SiC研究框架 与题报告 证券研究报告 电子行业 2020年9月4日 分析师: 陈杭 执业证书编号: S1220519110008 总结 器件发展,材料先行,IDM模式将继续成为行业主流.SiC将会取代Si作为大部分功率器件的。

5、敬请参阅末页重要声明及评级说明 证券研究报告 电子电子 行业研究深度报告 主要观点: SIC 功率器件:性能优异,功率器件:性能优异,10 年年 20 倍增长倍增长 功率半导体的技术和材料创新都致力于提高能量转化效率理想转化率 100,基于。

6、 1 本报告版权属于安信证券股份有限公司.本报告版权属于安信证券股份有限公司. 各项声明请参见报告尾页.各项声明请参见报告尾页. 光伏新能车普及,吹响光伏新能车普及,吹响 SiCSiC 材料材料设备设备大大发展发展 号角号角 SiC 基基功。

7、SiC碳化硅是制作高温高频大功率高压器件的理想材料之一:由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料.相比传统的硅材料Si,碳化硅SiC的禁带宽度是硅的 3 倍;导热率为硅的 45 倍;击穿电压为硅的 8 倍;电子饱和漂移速率为硅的 2 倍。

8、竞争格局:产业链各环节以海外厂商为主导目前,GaAs 产业链环节以欧美日本和台湾厂商为主导.从 GaAs 外延片生产环节来看,根据Strategy Analytics 数据,前四大GaAs 外延片厂商为英国厂商IQE台湾地区厂商全新光电日本。

9、SiC 助力汽车降低 5 倍能力损耗.以第三代半导体的典型应用场景新能源汽车为例,根据福特汽车公开的信息,相比于传统硅芯片如 IGBT驱动的新能源汽车,由第三代半导体材料制成芯片驱动的新能源汽车,可以将能量损耗降低 5 倍左右.SiC 提高。

10、 拓扑结构:如下图所示,我们对比发现高压电气系统下400V与800V拓扑结构基本一致,没有太大变化. 但若800V电压平台的电车能够使用之前400V的直流快充桩,则需要在车端增加额外的DCDC转换器进行升压,达到800V及以上才能够对动力电。

11、 1 本报告版权属于安信证券股份有限公司. 各项声明请参见报告尾页. 助力 800V 高压平台升级,SiC 车规级应用渗透率加速提升 800V 平台可有效解决电动车里程焦虑快充速度问题,车企纷纷布局:续航能力和充电时长是影响电动车普及程度的。

12、 敬请阅读末页的重要说明 证券研究报告 公司深度报告 2022 年 01 月 11 日 全球全球半绝缘半绝缘 SiC 衬底衬底巨头巨头,6 英寸英寸导电导电型加速型加速扩产扩产 TMT 及中小盘电子 天岳先进是天岳先进是我国我国半绝缘型碳化。

13、本公司具备证券投资咨询业务资格,请务必阅读最后一页免责声明 证券研究报告 1 天岳先进688234深度报告 SiC 业务景气向上,国内龙头突围在即 2022 年 01 月 19 日 TableSummary 天岳先进:蓄势待发的国产碳化硅衬。

14、2022 年深度行业分析研究报告 2 目录 1 天岳先进:蓄势待发的国产碳化硅衬底龙头 . 3 1.1 国内半导体前沿生产商,进军国际碳化硅衬底市场 . 3 1.2 收入稳定增长,半绝缘型衬底业务渐入佳境 . 4 1.3 股权结构稳定,激励。

15、斱正申子 行业深度抜告 碳化硅SiC 行业研究框架 新能半导大旪代新核芯证 券 研 究 抜 告 2022年 2月 15日 摘要 性能完美替代,SiC器件未来将逐步替代传统硅基器件:叐益亍优秀癿杅料特性,随着量产和技术成熟带来癿成本下陈,在新。

16、2022 年深度行业分析研究报告 232 正文目录正文目录 1. SiC 碳化硅:产业化黄金时代已来;衬底为产业链核心碳化硅:产业化黄金时代已来;衬底为产业链核心 . 4 1.1. SiC 特点:第三代半导体之星,高压高功率应用场景下性能优。

17、请阅读最后一页的免责声明 1 2022 年年 03 月月 17 日日 证券研究报告证券研究报告行业深行业深度度报告报告 第三代第三代半导体半导体行业行业 下游需求驱动,国产替代先行,下游需求驱动,国产替代先行,SiSiC C 迎迎政策发展政。

18、2022 年深度行业分析研究报告 2 正文目录正文目录 报告核心观点报告核心观点 . 4 与市场不同的观点 . 5 碳化硅为第三代半导体材料,引领功率及射频领域革新碳化硅为第三代半导体材料,引领功率及射频领域革新 . 6 碳化硅较硅更能满足。

19、 1 本报告版权属于安信证券股份有限公司.本报告版权属于安信证券股份有限公司. 各项声明请参见报告尾页.各项声明请参见报告尾页. xml SiCSiC 景气度持续向上景气度持续向上, 半导体产业链安全应半导体产业链安全应逐步重视逐步重视 汽。