2022年全球SiC市场竞争格局现状及碳化硅器件加速应用研究报告（44页）.pdf

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1、2022 年深度行业分析研究报告 2 正文目录正文目录 报告核心观点报告核心观点 . 4 与市场不同的观点 . 5 碳化硅为第三代半导体材料，引领功率及射频领域革新碳化硅为第三代半导体材料，引领功率及射频领域革新 . 6 碳化硅较硅更能满足高温、高压、高频等需求，下游应用领域广泛 . 6 SiC 较 IGBT 具备耐高压、低损耗和高频三大核心优势 . 8 全球全球 SiC 市场处于高速成长阶段，国内厂商存广阔替代空间市场处于高速成长阶段，国内厂商存广阔替代空间 . 11 乘碳中和之东风，2025 年市场规模有望较 2020 年翻 5 倍 . 11 海外厂商普遍看好 SiC 市场空间，相关业务业

2、绩展望乐观 . 12 竞争格局：衬底及外延市场集中度高，器件领域海外厂商占绝对主导 . 13 新能源车新能源车/充电桩充电桩/光伏光伏/工控工控/射频鼎力相助，射频鼎力相助，SiC 器件加速应用器件加速应用 . 15 新能源汽车：800V 架构下的甜蜜时刻，SiC 渗透的核心驱动力. 15 新能源车充电及里程焦虑凸显，800V 架构时代来临 . 16 主逆变器：800V 系统下 SiC MOSFET 大显身手，降低主逆变器损耗及体积 . 18 OBC：SiC 助力实现效率提升、轻量化及系统成本降低 . 19 SiC 器件与传统产品价差持续收窄，具备经济效益指日可待. 20 预计 2025 年全

3、球新能源汽车 SiC 市场规模将达到 30.1 亿美元 . 21 直流充电桩：大功率充电占比提升，SiC 将加速替代 . 23 光伏：SiC 光伏逆变器性能提升显著，广泛应用未来可期 . 23 工控：SiC 模块有望在轨交、智能电网、风电等领域实现全方位渗透 . 24 射频：5G 推动 GaN-on-SiC 需求提升 . 25 SiC 材料：产业链核心环材料：产业链核心环节，国内外厂商积极布局节，国内外厂商积极布局 . 26 衬底：碳化硅产业链最关键环节，技术壁垒较高 . 26 行业趋势#1：衬底尺寸不断扩大，8 英寸衬底成本优势凸显 . 30 行业趋势#2：远期产业链融合有望成为趋势 . 3

4、1 行业趋势#3：半绝缘型衬底国产化率已经较高，导电型衬底成为国产替代焦点 . 31 国产衬底迭代进程加快，质量、良率等方面仍存不小差距 . 31 国内外厂商大规模扩产，但国内有效产能不足致中短期仍将维持供不应求 . 33 重点公司与产业链相关公司一览重点公司与产业链相关公司一览 . 35 IDM 公司 . 35 三安光电（600703 CH） . 35 衬底厂商. 35 天岳先进（688234 CH） . 35 天科合达（未上市） . 35 河北同光（未上市） . 36 烁科晶体（未上市） . 36 江苏晶能（未上市） . 36 3 外延厂商. 36 瀚天天成（未上市） . 36 东莞天域（

5、未上市） . 37 器件/模块厂商 . 37 闻泰科技（600745 CH，买入，目标价：165.00 元） . 37 华润微（688396 CH，买入，目标价：70.00 元） . 38 斯达半导（603290 CH，买入，目标价：458.65 元） . 38 士兰微（600460 CH） . 39 时代电气（688187 CH） . 39 宏微科技（688711 CH） . 39 比亚迪半导体（未上市） . 40 泰科天润（未上市） . 40 派恩杰（未上市） . 40 飞锃半导体（未上市） . 41 基本半导体（未上市） . 41 瞻芯电子（未上市） . 41 瀚薪（未上市） . 41

6、设备厂商. 42 北方华创（002371 CH，买入，目标价：443.08 元） . 42 华峰测控（688200 CH，买入，目标价：625.00 元） . 42 晶盛机电（300316 CH） . 43 晶升装备（未上市） . 43 4 报告核心观点报告核心观点 碳化硅为第三代半导体材料，碳化硅器件较传统硅基器件碳化硅为第三代半导体材料，碳化硅器件较传统硅基器件可具备耐高压、低损耗和高频三可具备耐高压、低损耗和高频三大优势。大优势。碳化硅具备禁带宽度大、热导率高、临界击穿场强高、电子饱和漂移速率高等特点，可以满足高温、高压、高频、大功率等条件下的应用需求，广泛应用于新能源汽车、光伏、工控、