电子行业半导体材料系列报告（一）：光刻胶篇国产替代道阻且长国内光刻胶企业砥砺前行-20220221（29页）.pdf

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1、2022年年2月月21日日国产替代道阻且长，国产替代道阻且长，国内光刻胶企业砥砺前行国内光刻胶企业砥砺前行证券研究报告证券研究报告半导体材料系列报告（一）：半导体材料系列报告（一）：光刻胶光刻胶篇篇电电子子行行业评级：强于大市（维持）业评级：强于大市（维持）投资要点投资要点2 2 光刻胶是半导体制造的核心材料光刻胶是半导体制造的核心材料，行业壁垒高行业壁垒高：光刻胶是半导体制造工艺中光刻技术的核心材料，其品质直接决定集成电路的性能和良率，也是驱动摩尔定律得以实现的关键材料。光刻胶按照应用领域可以分为PCB、面板、半导体用光刻胶三大类，其中半导体光刻胶技术门槛最高，专利技术、原材料、设备验证、客

2、户认证使得行业壁垒高筑。 日本雄霸天下日本雄霸天下，市场高度垄断市场高度垄断：全球晶圆厂的扩产扩建驱动行业需求快速增长，2021年全球半导体光刻胶市场约19亿美元。2020年中国半导体光刻胶市场约3.5亿美元，随着国内晶圆代工产能的不断提升，预计2025年有望达到100亿元人民币。竞争格局上，市场长期被国外高度垄断，尤其在中高端光刻胶领域，日企独占鳌头。 国产替代成为长期趋势国产替代成为长期趋势，国内厂商追风赶月：国内厂商追风赶月：目前国内半导体光刻胶主要以低端产品为主，技术水平与国外差距甚远。但在多项国家政策支持和大基金注资的背景下，今后国产替代将成为长期趋势。国内产业链下游企业逐渐意识到核

3、心材料国产化的重要性，国内厂商也在积极研发中高端产品、加速客户和产品导入、扩建相关产能，在探索中砥砺前行，从而抓住国产化的契机。目前已有少数企业已开始崭露头角，实现从0到1的突破。 投资建议：投资建议：可关注早有技术积累、已实现产品量产且产业链上下游一体化布局的企业，建议关注已收购北京科华和北旭电子的彤程新材；也可关注在微电子化学品领域产品布局较广泛的晶瑞电材。 风险提示：风险提示：1）宏观经济下行风险；2）市场竞争加剧风险；3）原材料和设备供应风险；4) 国产替代不及预期风险。fXbWzWiXjZcXwVpOmNrR8OdN7NnPrRmOsQlOnNmOkPsQtR8OnNwPuOnOpM

4、xNmNpP目录目录C CO N T E N T SO N T E N T S趋势：国产替代迫在眉睫，国内企业追风赶月趋势：国产替代迫在眉睫，国内企业追风赶月3 3概述：光刻胶是半导体制造核心材料，行业壁垒高筑概述：光刻胶是半导体制造核心材料，行业壁垒高筑市场：晶圆厂扩建拉动需求，但长期被日企垄断市场：晶圆厂扩建拉动需求，但长期被日企垄断投资建议及风险提示投资建议及风险提示 光刻胶是光刻时用于接收图像的介质：光刻胶是光刻时用于接收图像的介质：光刻胶是一种有机化合物，受特定波长光线曝光作用后其化学结构改变，在显影液中的溶解度会发生变化，因此又称光致抗蚀剂。正胶在曝光后发生光化学反应，可以被显影液

5、溶解，留下的薄膜图形与掩膜版相同；而负胶经过曝光后变成不可溶物质，非曝光部分被溶解，获得的图形与掩膜版相反。 主要成分：主要成分：光刻胶是光刻工艺的核心材料，主要由树脂、感光剂、溶剂、添加剂等组成，其中树脂和感光剂是最核心的部分。概述概述| |光刻光刻胶：胶：光刻时用于接收图像的介质光刻时用于接收图像的介质使用使用UVUV光的简易光刻工艺图光的简易光刻工艺图资料来源：集成电路制造技术原理与工艺、半导体芯片制造技术，平安证券研究所光刻胶主要成分光刻胶主要成分4 4树脂（聚合物）感光剂添加剂光刻胶在光照下不发生化学反应，主要作用是保证光刻胶薄膜的附着性和抗腐蚀性，也决定了一些其他特性如膜厚、弹性、

6、热稳定性等受特定波长光照后在曝光区发生光固化反应，使得材料的物理特性，尤其是溶解性发生显著变化溶剂用以改变光刻胶的某些特性，如为改善发生反射而添加染色剂等为了方便涂覆，要将溶质加入溶剂进行溶解，形成液态物质 光刻技术是半导体制造的关键环节：光刻技术是半导体制造的关键环节：光刻技术用于电路图形生成和复制，是半导体制造最为关键的技术。光刻技术的进步是集成电路技术遵循摩尔定律更新的重要技术先导，其先进程度决定了半导体制造技术水平的高低。光刻工艺贯穿半导体器件和集成电路制造工艺始终，当代超大规模集成电路制作需要几十次乃至上百次光刻才能完成，光刻的最小线条尺寸是集成电路发展水平的标志。 基本光刻工艺流程