功率半导体IGBT：高壁垒和高景气的黄金赛道（30页）.pdf

上传人： st****n

编号：51913

2021-09-23

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受制于成本问题，未来 3-5 年 IGBT 仍是最重要的应用目前局限 SIC 用途的原因是成本太高，产品参数也不稳定。目前 SIC 芯片成本是IGBT 的 4-5 倍，但业界预计 SiC 成本三年内可以下降到 2 倍左右。目前有使用 SiC MOS的车型是特斯拉的 Model 3。目前阻碍 SiC 成本下降的主要原因是基材缺陷。应用材料的战略营销总监如此评价：“这种较宽的带隙使材料具有优良的特性，例如更快的开关速度和更高的功率密度，但是主要挑战是基材缺陷，基面位错和螺钉位错会产生“致命缺陷”，SiC 器件必须减少这种缺陷，才能获得商业成功所需的高产量。”成本下降和产品稳定需要时间验证，国产厂商的核心矛盾是国产替代。SiC MOSFET 产品的稳定性需要进一步验证，根据英飞凌 2020 年功率半导体应用大会上专家披露，目前 SiC MOSFET 真正落地的时间还非常短，在车载领域才刚开始商用，一些诸如短路耐受时间等技术指标没有提供足够多的验证，一个高端功率半导体从客户认证到产品试应用再到产品批量应用要比较长的时间，因此，未来 3-5 年 IGBT 还是主流的高端功率半导体产品，SiC 会在部分高端新能源车领域有一些逐步缓慢的渗透。但是对于国内厂商来说，未来 5 年核心矛盾是国产替代(龙头市占率从 2%到 20%)。

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