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1、晶圆代工专题2：存储代工需求放量叠加产能转移，大陆本土逻辑代工景气度上行相关研究投资要点：引言：AI加速存储需求爆发，存储行业开启新一轮上行周期，推动存储厂商产能扩张及技术迭代，无论是NAND和DRAM的存储-逻辑双晶圆架构，还是HBM的BaseDie的工艺升级，共同打开存储领域对逻辑代工的需求增量。本文将聚焦DRAM、NAND及HBM三大核心产品，以及CoWoS中介层需求和成熟制程产能转移，测算大陆Fab逻辑代工的增长潜力。bulletDRAM：随着DRAM工艺制程逐步发展，其外围电路工艺从HKMG发展至FinFET。据YOLE数据，行业目前正在推进CMOS键合阵列（CBA）技术研发与落地，

2、泛林也表示在4F中CMOS部分将会与存储列阵以Bonding形式相结合，海力士也在推动此类技术发展，CBA架构为存储密度的持续提升开辟新的技术路径。据我们测算，在CMOS逻辑晶圆与DRAM晶圆1:1键合的模式下，DRAMCBA架构预计在2030年为全球逻辑代工市场新增71万片/月产能需求，其中本土逻辑代工需求将达到49万片/月。NAND：在3DNAND领域，国际市场长期以PNC、PUC架构为主流，而长江存储依托独创的Xtacking架构实现技术突围。该架构可搭载更先进的逻辑工艺，进而大幅提升NAND产品的性能。随着NAND外围电路要求逐步提高至HKMG，分离架构是一种更好的选择，海外厂商正逐步

3、跟进布局类似Xtacking的CBA架构，其中铠侠已率先将CBA技术导入3DNAND量产产品线，据我们预计，在2030年NAND将会给逻辑晶圆代工需求带来142.8万片/月的需求，其中本土厂商带来的需求为59万片/月。.HBM及CoWoS：在HBM3E及之前的版本中,BaseDie均由存储厂商自主采用DRAM制程完成制造，但是随着AI服务器性能不断增长，BaseDie要求也随之升级。我们预计到2030年HBM将会带来的12寸晶圆产能需求大约为7万片/月，本土需求大约为1.4万片/月。CoWoS需求持续火热，据我们预计，CoWoS中介层对12寸晶圆的需求在2030年将会达到15.6万片/月，其中

4、本土需求为3.9万片/月。bullet产能转移：据TrendForce数据，受台积电、三星主动削减8英寸产能影响，2025年全球8英寸产能同比下降约0.3%,2026年收缩幅度预计扩大至2.4%。结合SEMI、TrendForce及Omdia数据测算，若台积电、三星全面退出8英寸晶圆制造，将导致全球8英寸产能减少约10%。在12英寸领域，台积电亦逐步缩减其成熟制程产能。随着台、韩厂商成熟制程产能持续收缩，国内晶圆厂有望承接更多外溢需求。风险提示：行业技术发展不及预期，资本开支不及预期，终端需求不及预期。（二）NAND：长存已采用Xtacking架构，海外大厂也逐步跟进.7二、HBMbasedi

5、e逐步采用先进制程，Cowos的Interposer需求快速增长三、台积电、三星逐步退出8寸成熟制程代工，大陆Fab迎产能转移机会15一、存储厂商CBA架构渗透率逐步提升，逻辑代工需求有望放量（一）DRAM：制程微缩进展较慢，CBA架构渗透率逐步提升DRAM（动态随机存取存储器）作为主流易失性存储器件，与NAND闪存共同构成现代计算系统的核心存储架构，其应用场景覆盖个人终端设备、数据中心服务器及高性能计算集群等关键领域。从存储单元结构来看，DRAM采用1T1C（单晶体管-单电容）基础架构。在制程演进方面，DRAM产业曾严格遵循摩尔定律发展规律，历史峰值时期其位密度每18个月实现倍增，扩展速度一

6、度超越逻辑芯片。然而受限于电容物理特性（需维持临界电荷量），单元尺寸微缩自2010年代起显著放缓，传统光刻无法满足其需求，过去十年间密度提升速度较慢。当前AI技术革命催生GPU算力爆发式增长，内存带宽需求呈现指数级上升，产业界正通过先进封装技术（如HBM）突破传统架构限制，以应对AI时代的内存墙挑战。(divcenter)图1、DRAM摩尔定律逐步失效(/divcenter)当前产业界主要通过高带宽存储器（HBM）技术应对AI算力爆发性增长带来的内存带宽需求。从成本结构来看，HBM的单位存储成本显著高于传统DDR5内存，其每GB成本达到标准DDR5的3倍以上，主要源于复杂的2.5D/3D堆叠封