2024年5月24日,国家大基金三期正式成立,注册资本3440亿元人民币,创下中国半导体产业基金单期规模之最。五矿证券最新报告指出,三期规模远超一期(987.2亿元)和二期(2041.5亿元)之和,首次引入国有六大行共同出资(持股33.14%),彰显国家对半导体产业链自主可控的坚定决心。投资方向从一期的“制造为主”、二期的“设备材料”,升级为三期的“AI+先进制程/封装/存储+卡脖子环节”。本报告基于五矿证券研究,深入分析大基金三期的投资重点与产业机遇。
大基金三期概况——3440亿,规模空前
国家大基金三期于2024年5月24日成立,注册资本3440亿元人民币,远超一期(987.2亿元)和二期(2041.5亿元)总和。首次由国有六大行(工商银行、农业银行、中国银行、建设银行、交通银行、邮储银行)共同出资,合计持股33.14%,体现了国家层面对半导体产业的高度重视。公告称,三期旨在引导社会资本加大对集成电路产业的多渠道融资支持,重点投向集成电路全产业链。
投资方向——AI+先进制程/封装/存储+卡脖子环节
大基金三期投资方向聚焦三大主线:一是持续攻坚半导体“卡脖子”关键环节,尤其是大型半导体设备、材料、零部件等;二是先进节点,尤其是AI相关领域——先进制程(7nm及以下)、先进封装(2.5D/3D堆叠、Chiplet)、先进存储(HBM、3D NAND)等;三是关注与AI算力密切相关的芯片设计、EDA工具、IP核等领域。相比一期聚焦制造、二期聚焦设备材料,三期的投资范围更广,目标更集中于提升中国半导体产业的全球竞争力。
材料端受益方向——光刻胶、前驱体、三代半
大基金三期对半导体材料的支持力度预计将显著增强。从国产化率角度看,以下材料环节最可能受益:高端光刻胶(国产化率<10%,ArF/EUV亟待突破)、前驱体/电子特气(先进制程用量倍增)、第三代半导体材料(SiC/GaN,新能源车+5G驱动)、先进封装材料(IC载板、塑封料、底填胶等)。大基金三期将通过直接股权投资、产业链协同、研发补贴等方式,支持材料企业加速产品验证和产线建设,推动国产化率快速提升。
投资启示——卡脖子环节优先受益
大基金三期的成立验证了国家对半导体产业链自主可控的持续承诺。投资方向上,卡脖子环节(光刻机零部件、高端光刻胶、前驱体、先进封装材料)有望优先获得资金支持;AI相关领域(HBM、Chiplet、先进制程)有望获得重点倾斜。建议关注大基金潜在投资标的及产业链协同企业:半导体材料(南大光电、晶瑞电材、安集科技、鼎龙股份)、半导体设备(北方华创、中微公司、拓荆科技)、先进封装(长电科技、通富微电、甬矽电子)等。
| 对比维度 | 大基金一期 | 大基金二期 | 大基金三期 |
|---|---|---|---|
| 成立时间 | 2014年9月 | 2019年10月 | 2024年5月 |
| 注册资本 | 987.2亿元 | 2041.5亿元 | 3440亿元 |
| 重点领域 | 制造领域为主 | 设备材料等上游 | AI先进制程/封装/存储+卡脖子 |
| 投资特点 | 投资48家企业,26家已IPO | 对外投资65个项目 | 六大行首次共同出资 |
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