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1、证证券研究券研究报报告告本报告仅供华金证券本报告仅供华金证券客户客户中的专业投资者参考中的专业投资者参考请请仔仔细细阅阅读读在在本本报报告告尾部尾部的的重重要要法法律律声声明明传统工艺升级传统工艺升级&先进技术增量，争设备之滔滔不绝先进技术增量，争设备之滔滔不绝半导体设备半导体设备/行业深度报告行业深度报告领先大市（维持）领先大市（维持）分析师：熊 军S0910525050001分析师：宋 鹏 S09105250400012025年06月20日先进封装系列报告之设备先进封装系列报告之设备 2请仔细阅读在本报告尾部的重要法律声明核心观点核心观点u 尖端先进封装需求持续增长，尖端先进封装需求持续增

2、长，AI相关仍为主要驱动。相关仍为主要驱动。得益于生成式人工智能和高性能计算（HPC）这两大长期趋势有力推动，叠加移动和消费市场回暖以及汽车先进封装解决方案的拓展，将为先进封装市场规模增长注入动力。先进封装技术也沿着多元化方向发展，2.5D/3D 封装成为 AI 芯片的核心封装方案；系统级封装（SiP）通过微型化集成技术，在可穿戴设备、AR/VR领域占据优势；扇出型封装（FOPLP）加速布局，以更低成本和更大灵活性满足5G与消费电子需求；混合键合技术作为下一代高密度集成的关键，各个头部厂家等正推动其量产进程。根据Yole预测，全球先进封装市场规模将从2023年的378亿美元增至2029年的69

3、5亿美元。这一增长主要得益于 AI、高性能计算及 5G/6G 技术对算力密度的极致需求，以及数据中心、自动驾驶等领域对低功耗、高可靠性封装的迫切需要。u 凸块凸块/重布线层重布线层/硅通孔硅通孔/混合键合构建先进封装基底。（混合键合构建先进封装基底。（1）Bump：朝着更小节距、更小直径方向不断发展。目前，三维系统封装技术中微凸点互连是关键技术，其是利用在芯片上制备可润湿的微凸点，与基板上的区域对准，并通过微互连工艺使其连接，实现最短的电连接通路，从而大幅度提高封装密度。（2）RDL：改变IC线路接点位置。根据未来半导体披露，头部厂商封装业务RDL L/S（线宽和线间距）将从2023/2024

4、年的2/2m发展到2025/2026的1/1m，再跨入到2027年后的0.5/0.5m。（3）硅通孔：）硅通孔：在硅片上垂直穿孔并填充导电材料，实现芯片间立体互连。在2.5D封装中TSV充当多颗裸片和电路板之间桥梁，其中CoWoS为2.5D封装中最突出代表，在3D中TSV用于堆叠，HBM为3D封装最典型应用。（4）混合键合：）混合键合：利用范德华力实现，不需额外施加能量键合。混合键合通过金属（例如，铜）和氧化物键合的组合来连接芯片。其主要优点在于减少凸块间距和接触间距，从而增加相同区域内的连接密度。这反过来又可以实现更快的传输速度并降低功耗。3请仔细阅读在本报告尾部的重要法律声明核心观点核心观

5、点u FC/WLP/2.5D/3D四大方案助力封装技术迭代结构升维。（四大方案助力封装技术迭代结构升维。（1）FC：信号路径优化、散热性能提升、I/O引脚密度增加。根据Yole数据，2024Q2 FCBGA营收为23亿美元，环比增长6.8%，同比增长18%。由于人工智能需求的增长以及更多采用FCBGA的2.5D/3D封装，预计未来几个季度市场将保持健康增长；FCCSP未来两年收入将有所增长，主要原因是存储需求修正及AI相关需求维持高位。（2）WLP：先在整片晶圆上同时对众多芯片进行封装、测试，最后切割成单个器件，并直接贴装到基板或PCB上，生产成本大幅降低。根据Yole数据，2029年WLCS

6、P预计规模为24亿美元；FO（含IC基板）预计规模为43亿美元。（3）多芯片互联：）多芯片互联：2.5D：利用CoWoS封装技术，可使得多颗芯片封装到一起，通过硅中介板互联，达到封装体积小，功耗低，引脚少等效果。3D：HBM在前端制程完成后，增加TSV制程，TSV的深度是根据三维堆叠时芯片的厚度而确定的，目前通常在20-30m左右。嵌入式：是通过硅片进行局部高密度互连。与传统2.5封装没有TSV，因此EMIB技术具有正常的封装良率、无需额外工艺和设计简单等优点。根据Yole数据，2029年2.5D/3D（封装形式包含嵌入式，产品包含CIS）规模有望达378.58亿美元。u 投资建议：投资建议：