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1、戚舒扬戚舒扬(SAC NO:S1120523110001)(SAC NO:S1120523110001)卜灿华卜灿华(SAC NO:S1120524120006)(SAC NO:S1120524120006)20252025年年1111月月5 5日日请仔细请仔细阅读在本报告尾部的重要法律声明阅读在本报告尾部的重要法律声明SiCSiC深度（一）深度（一）先进封装：英伟达、台积电未来的材料之选先进封装：英伟达、台积电未来的材料之选1仅供机构投资者使用仅供机构投资者使用证券研究报告证券研究报告摘要摘要2根据行家说三代半，9月2日，据中国台湾媒体报道，英伟达正计划在新一代GPU芯片的先进封装环节中采用

2、12英寸碳化硅衬底，最晚将在2027年导入。解决CoWoS封装散热问题成为AI算力芯片发展重要课题根据高算力Chiplet的热管理技术研究进展，集成电路发展受到“功耗墙”的严重制约。英伟达和AMD在追求算力大幅提升的情况下，不得不继续提高芯片功率。主流算力芯片基本标配CoWoS封装，尤其英伟达算力芯片全部使用CoWoS封装。因此我们认为AI算力芯片的发展亟需解决CoWoS封装散热的难题。SiC有望成为未来CoWoS发展中Interposer最优解CoWoS核心价值在于interposer（中介层）的连通作用，Interposer当前与未来面临热管理、结构刚性等难题。根据北京大学、Nature等

3、相关论文，当前的Si和玻璃在材料特性上不及SiC与金刚石，而金刚石仍难以匹配芯片制造工艺，因此我们判断，因为SiC在性能与可行性两方面的优势，有望成为未来CoWoS interposer的最适宜替代材料。如CoWoS未来采用SiC，中国大陆SiC产业链有望重点受益如CoWoS未来将Interposer替换为SiC，且如按CoWoS 28年后35%复合增长率和70%替换SiC 来推演，则30年对应需要超230万片12吋SiC衬底，等效约为920万片6吋，远超当前产能供给。而中国大陆SiC具备投资规模、生产成本、下游支持的三大优势，未来有望重点受益。投资建议虽然材料替换仍需产业和技术的进一步推进，

4、但我们认为趋势上SiC有较大的可能获得一个全新巨大的增长机遇，SiC衬底与设备公司有望重点受益。受益标的：晶盛机电、晶升股份、天岳先进、三安光电、通威股份、天富能源、华纬科技、宇晶股份等。风险提示新技术推进不及预期、行业竞争加剧、地缘政治风险等。目录目录3一、英伟达、台积电考虑使用一、英伟达、台积电考虑使用SiCSiC作为未来先进封装中介层作为未来先进封装中介层二、为何英伟达和台积电亟需解决CoWoS散热问题三、为何SiC成为CoWoS interposer主要考虑对象四、为何中国大陆SiC有望重点受益五、SiC衬底、设备相关企业概况六、投资建议七、风险提示英伟达、台积电有望在未来的先进封装中

5、使用英伟达、台积电有望在未来的先进封装中使用SiCSiC4 根据行家说三代半，9月2日，据中国台湾媒体报道，英伟达正计划在新一代GPU芯片的先进封装环节中采用12英寸碳化硅衬底，最晚将在2027年导入。SiC要替代的硅中介层（Silicon Interposer）是CoWoS封装平台的核心部件之一。它是一片面积很大的硅片，硅片内部有许多互连线（TSV硅通孔和布线），负责将这些小芯片彼此连接，并与封装基板连接。图：图：InterposerInterposer（中介层）是（中介层）是CoWoSCoWoS封装中重要组成封装中重要组成图：应用材料在行业会议上提到了图：应用材料在行业会议上提到了SiCS

6、iC替代硅中介层的应用替代硅中介层的应用台积电广发英雄帖布局台积电广发英雄帖布局SiCSiC，产业信息接踵而至，产业信息接踵而至5 近期相关报道频出，我们认为可能是台积电期待产业链共同配合推进。根据芯智讯，近期半导体业界传出消息称，台积电正广发“英雄帖”，号召设备厂与化合物半导体相关厂商参与，计划将12英单晶碳化硅（SiC）应用于散热载板，取代传统的氧化铝、蓝宝石基板或陶瓷基板。集邦集邦9月5日以往碳化硅主要应用在功率半导体、车用及储能领域，如今已进入新发展阶段，例如在AR智能眼镜（AR Lens）镜片及高端3D IC封装中，需要碳化硅作为散热材料，尤其是应用在散热载板这个部分。其中，3D I