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3、体工业皇冠上的明珠。光刻工艺是对光刻胶进行曝光和显影形成三维光刻胶图形的过程，直接决定了集成电路制造的微细化水平，集成电路整个制造过程中，光刻步骤至少要重复10 次，一般要重复 25-40 次。光刻分辨率即光刻系统能清晰投影最小图像的能力。决定了光刻机能够被应用于的工艺节点水平。根据瑞利准则，通过缩短光源波长、增大数值孔径、减小工艺因子能够提高光刻分辨率。光刻机是一个高度复杂、精密的系统，主要由光源、光路系统及物镜、双工件台、测量系统、聚焦系统、对准系统等部分组成。光刻工艺是对光刻胶进行曝光和显影形成三维光刻胶图形的过程，直接决定了集成电路制造的微细化水平，集成电路整个制造过程中，光刻步骤至少

4、要重复10 次，一般要重复 25-40 次。光刻分辨率即光刻系统能清晰投影最小图像的能力。决定了光刻机能够被应用于的工艺节点水平。根据瑞利准则，通过缩短光源波长、增大数值孔径、减小工艺因子能够提高光刻分辨率。光刻机是一个高度复杂、精密的系统，主要由光源、光路系统及物镜、双工件台、测量系统、聚焦系统、对准系统等部分组成。全球晶圆厂设备开支保持强劲，光刻机需求持续提升。全球晶圆厂设备开支保持强劲，光刻机需求持续提升。ASML 预计到 2030 年，全球半导体销售额将超过 1 万亿美元，2025-2030 年 CAGR 达 9%；2025 年-2027 年，全球300mm 晶圆厂设备支出预计分别 1

5、232 亿美元/1362 亿美元/1408 亿美元，同比分别增长 24%/11%/3%，光刻机是半导体设备中市场占比最大品类，市场占比达 24%。伴随先进逻辑和存储芯片制程持续迭代，EUV 光刻机占比持续提升。先进逻辑方面，预计2025 年进入 2nm 时代；DRAM 方面，预计在 2025 年制程达到 1C 与 0A；NAND 方面，预计 2025 年 NAND 层数可达 300 层以上。在先进逻辑与 DRAM 方面，随着芯片制程持续缩小，EUV 光刻机费用占比不断攀升。而 NAND 领域主要依赖 ArFi 和干式光刻机，不同制程下对光刻设备上投入的费用占比维持相对稳定。ASML 预计到 2

6、030 年，全球半导体销售额将超过 1 万亿美元，2025-2030 年 CAGR 达 9%；2025 年-2027 年，全球300mm 晶圆厂设备支出预计分别 1232 亿美元/1362 亿美元/1408 亿美元，同比分别增长 24%/11%/3%，光刻机是半导体设备中市场占比最大品类，市场占比达 24%。伴随先进逻辑和存储芯片制程持续迭代，EUV 光刻机占比持续提升。先进逻辑方面，预计2025 年进入 2nm 时代；DRAM 方面，预计在 2025 年制程达到 1C 与 0A；NAND 方面，预计 2025 年 NAND 层数可达 300 层以上。在先进逻辑与 DRAM 方面，随着芯片制程