半导体行业研究：存储器结构性分道篇~重内存-210914（21页）.pdf

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1、中、低容量特殊利基型 DRAM 需求超过供给：归因于数位电视，机上盒，Wi-Fi 5/6, 安防, 路由器, Modem, AIOT, 白色家电, 工业IPC 对小容量 DRAM 内存的需求稳定增长，加上海力士(产能转 CMOS 感测器)明显退出中/低容量特殊利基型 DRAM 供应链，而南亚，力积电在全球12“ 3x/4x/5x/6x nm 存储器成熟制程产能不增反减 (全球中/低容量特殊利基型 DRAM 产出在 1H21 年同比衰退 16%，主要系力积电将30%存储器产能转逻辑晶圆代工)，中国大陆的合肥长鑫又主攻 19/17nm 低功耗手机大容量用 DRAM, 综合这些原因，DDR2 512

2、Mb/1Gb, DDR3 1，2Gb DRAM等 中/低容量特殊利基型 DRAM 需求超过供给，价格直到三季度仍环比增长 10-20%，同比增长超过一倍，即使明年价格因数位电视，机上盒短期需求转弱而调整超过 30%，但长期供给减弱会持续让中/低容量特殊利基型 DRAM长期价格相对稳定。之前我们认为从 2021 年开始三大内存器制造公司三星，海力士，及镁光将陆续量产 1-alpha DRAM (10-12nm), 除了镁光仍坚持使用 193nm ArF 浸润式光刻机制造 1-alpha DRAM 外，三星及海力士都将首次全面采用 13.5nm EUV 光刻机来制造1-alpha DRAM，一般来

3、说 EUV 1-alpha DRAM 传输速度在DDR4 规格可至少提升到 4266MT/s, 在 DDR5 可至少提升到 4800MT/s 。而1alpha 的微缩制程工艺，可比 1z 制程工艺多生产 25%的 DRAM 芯片，但因为 1-alpha DRAM 需要大约 5-6 EUV 层，而每月处理 10 万的每个 EUV 1-alpha DRAM 层就需要 1.5-2 台 EUV 光刻机，那 5-6 EUV 层就需要 8-12 台EUV 机台，以每台 EUV 售价 1.5亿美元来测算(远高于每台 193nm ArF 浸润式光刻机的 6000 万美元)，每个月 10 万片 1-alpha

4、DRAM 的产能就要额外投资 15 亿美元的 EUV 光刻机台，EUV 光刻机资本开支的拉高，会让少数能供应先进 1-alpha，1-beta, 以及 1-gamma DRAM 的厂商其资本开支逐年提升，再加上要做到 10-12nm 的 1-alpha, 8-10nm 的 1-beta, 还有 8nm 以下的 1-gamma 及1-delta, 都会因为摩尔定律趋缓，EUV 光刻机设备取得困难 (目前不但交期达 21 个月，还要跟晶圆代工厂抢设备)，加上良率问题而越加困难而延迟，DDR5 比 DDR4 多消耗 30-50%产能，我们因此预期未来 10 年的 DRAM位元容量产能复合增长率将从过

5、去 5 年的 20%，降低到 17%, 明显低于未来10 年需求复合增长率的 20-21%。以下是我们的几个要持续更新的测算基础假设：未来 10 年全球 DRAM 行业应该是长期处于供给不足的状态，估计短期供过于求的下行周期将有 2-3 次，少于过去十年于 2010-2020 年的 4 次。根据我们国金证券研究所收集的数据资料显示，全球内存/闪存大厂的库存月数在 2021年二季度为 2.9个月，低于上季度的 3.1 个月及低于去年同期的4.0 个月，并明显低于过去五年平均的 3.4 个月。但另一方面，主要存储器模组厂商库存却从去年同期的 3.8 个月，提升到一季度的 3.9 个月，一直到二季度

6、增为 4.2 个月，并明显高于过去五年平均的 3.2 个月。而主要计算机，服务器厂商二季度的库存月数也比上季度，去年同期，过去五年平均高了 0.4 个月。这表示因为新冠病毒疫情扩大的影响，渠道模组商及系统厂商都愿意多背负比过去平均水准更高的库存月数，所以全球内存/闪存大厂的存储器库存被成功的转移到存储器渠道模组商及终端系统厂商手中，但因为最近 DDR4 8Gb DRAM 内存现货价已经于三季度开始环比下跌，合约价将于四季度开始环比向下调整，NAND 闪存现货及合约价格也将于四