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1、行业研究行业研究 行业深度行业深度 电子电子 证券研究报告证券研究报告 请务必仔细阅读正文后的所有说明和声明请务必仔细阅读正文后的所有说明和声明 Table_Reportdate 2024年年09月月12日日 table_invest 标配标配 Table_NewTitle 光刻机光刻机：国产设备发展：国产设备发展任重道远，任重道远，零组零组件企业或将长期受益件企业或将长期受益 半导体行业深度报告（十一）Table_Authors 证券分析师证券分析师 方霁 S0630523060001 table_stockTrend table_product 相关研究相关研究 1.AI大模型风起云涌，半

2、导体与光模块长期受益半导体行业深度报告（十）2.历周期模拟芯片稳中维良，拓新域国内厂商辟土开疆半导体行业深度报告（九）3.存储市场复苏在即，模组厂商曙光再现半导体行业深度报告（八）4.5G助推射频前端高速发展，国内厂商产品升级扶摇直上半导体行业深度报告（七）5.刻蚀机：技术追赶步履不停，国产替代空间充裕半导体行业深度报告（六）table_main 投资要点：投资要点：光刻技术光刻技术经过不断地技术经过不断地技术迭代已经达到了以浸没式、多重曝光技术为主的先进光刻技术环迭代已经达到了以浸没式、多重曝光技术为主的先进光刻技术环节，芯片的制程技术达到了节，芯片的制程技术达到了3nm以下以下。光刻是半导

3、体生产过程中最重要的步骤之一，典型的光刻工艺流程包括8个步骤，分别是底膜准备、涂胶、软烘、对准曝光、曝光后烘、显影、坚膜、显影检测。在光刻机的发展历史中，光刻技术经历了接触/接近式光刻机、扫描投影光刻机、步进重复式光刻机到现在的步进扫描光刻机的发展历程，现阶段主流技术为步进扫描光刻机，其余技术基本已经被淘汰了。主流的光刻机均采用浸没系统、可编程光照、畸变修正、热效应修正、对准与表面测量等高难度技术。光刻机可通过多重曝光来提高光刻精度，但是当制程节点达到3nm以下时，EUV光刻机则成为了必需的设备。光刻机重要结构包括光源系统、光学镜头、工作台，其中光源系统是决定光刻机技术迭代的关键系统，光源技术

4、迭代经历了g-line、i-line、KrF、ArF、EUV技术，光刻精度也从800nm逐步提升至3nm。全球光刻机规模在全球光刻机规模在2023年约为年约为271亿美元，亿美元，ASML、Nikon、Canon这这3家公司几乎垄断全家公司几乎垄断全球光刻机供应。球光刻机供应。2023年全球光刻机总规模高达271.3亿美元，预计2024年或将增长到315亿美元，长期来看光刻机需求有量价齐升的逻辑，市场规模有望保持增长趋势。光刻机的价值量随着制程不断降低呈现指数级别上涨，未来3nm-1nm制程的光刻机价值量或将超过10亿元。2022年三家公司共出货551台光刻机，其中ASML生产了345台光刻机

5、，占比63%。如果拆分不同类别的光刻机占比来看，在EUV领域，ASML具有绝对话语权，占有100%份额，ASML官网数据，2023年各类光刻机均价为EUV（17386万欧元）、ArFi（7196万欧元）、ArFdry（2742万欧元）、KrF（1192万欧元）、l-ine（399万欧元）。目前光刻机国产化率仅为目前光刻机国产化率仅为2.5%，整机技术与海外差距较大，短期，整机技术与海外差距较大，短期5-10年内一方面重点发展年内一方面重点发展90、28nm光刻机的研发量产较为关键，一方面重点布局国内半导体零组件发展。光刻机的研发量产较为关键，一方面重点布局国内半导体零组件发展。根据中国国际招标

6、网信息，半导体设备招标中，刻蚀、沉积等核心设备的国产化率获得了较大的提升，核心在于技术上我国相关企业已经逐步追赶上海外企业；但光刻机作为核心设备，国产化率不足3%，核心原因在于零组件供应与整机技术与海外差距较大，这样的技术发展需要长达5-10年甚至更久远时间才能逐步突破。我国2023年进口光刻机数量高达225台，进口金额高达87.54亿美元，进口金额创下历史新高，预计3-5年内我国光刻机主要依赖进口。一台先进的光刻机高达10万个零部件，整体来看我国半导体零组件的国产化率非常低，尽管在各个赛道均有相关的国有企业在不断发展，距离海外企业依然有较大的差距，同时也预示着国内零组件企业公司有较大的发展机