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科技行业:关注光模块上游核心材料发展机遇-260420(21页).pdf

上传人: 三*** 编号:1195728 2026-04-21 21页 1.40MB

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1、关注光模块上游核心材料发展机遇华泰研究随着近年800G、1.6T光模块需求量的快速提升,以及未来3.2T时代的渐行渐近,我们看好光模块上游核心材料的发展机遇,本篇报告中我们将系统梳理InP衬底与薄膜铌酸锂两大产业的成长逻辑:其中InP衬底作为光芯片上游核心原材料,受益于光芯片厂商需求的快速拉动,行业呈现供不应求趋势;薄膜铌酸锂制备的调制器基于低功耗、高带宽等优势,未来有望于3.2T可插拔方案中迎来导入窗口期,产业链成长空间广阔。pmbmathsfAl算力带动光模块需求高增长,光芯片需求快速释放随着全球科技巨头继续加码AI算力投资,光模块产业链有望延续高景气度。根据LightCounting于2

2、026年1月发布的预测,全球高速率(100G及以上)数通光模块市场规模有望由2025年的164亿美金扩张至2031年的521亿美金。光芯片作为光模块上游核心原材料之一,需求侧亦呈现高增趋势,根据源杰科技港股招股书中的数据,预计全球光芯片市场规模有望由2024年的26亿美金增长至2030年的229亿美金,对应期间CAGR达44%。产业链核心环节厂商梳理InP衬底:【高纯铟】Indium、Dowa、日本Rasa、株洲科能、北京通美、广东先导等;【多晶合成】日本住友、北京通美(AXT控股子公司)、日本Rasa、英国Wafer、珠海鼎泰(博杰股份参股)、陕西铟杰;【InP衬底】日本住友、北京通美、日本

3、JX、珠海鼎泰、云南锗业、广东先导。薄膜铌酸锂:【铌酸锂晶体材料】天通股份、南智芯材、日本山寿陶瓷、恒元光电、德清华莹(信维通信参股)等;【薄膜铌酸锂晶圆】济南晶正、上海新硅聚合、美国PartoW;【薄膜铌酸锂调制器(芯片)】江苏锯奥光电、Hyperlight、易缆微半导体(安孚科技参股)等。风险提示:云厂商资本开支投入不及预期;行业竞争加剧;本研报中涉及到未上市公司或未覆盖个股内容,均系对公开信息的整理,并不代表团队对该公司、该股票的推荐或覆盖。(divcenter)行业走势图(/divcenter)AI算力需求推动衬底需求持续扩张,行业具备高门槛.6InP衬底产业链梳理,.8薄膜铌酸锂:3

4、.2T渐行渐近,产业迎广阔发展机遇.12关注光模块上游核心材料发展机遇:InP、薄膜铌酸锂大集群建设驱动AI算力产业链景气度持续提升。随着全球科技大厂继续加码对AI算力的投入,大规模GPU集群作为本轮生成式AI算力基建的核心形态,其建设步伐仍在快速推进。例如博通在2025年6月业绩会中重申,预计至少三家客户将在2027年部署百万卡集群;Marvell在2025年6月的投资者日中亦强调,客户的百万卡集群正在加速建设;Meta在2025年10月OCP的演讲中提到,正在规划未来数个GW级别的超大集群。我们判断大集群的建设将持续驱动GPU、光模块、交换机等算力硬件需求的快速释放。光互联:大集群核心拼图

5、,长期成长空间广阔。目前光互联基于长距离传输等优势,已广泛应用于大集群的Scaleout网络,即跨机柜、大规模互联场景;长期来看,我们认为光通信有望向Scaleup网络渗透,即机柜内部的互联场景。当前Scaleup网络由于互联距离较短、互联规模有限,仍可继续使用铜连接技术;而未来随着信号传输速率的进一步提升、Scaleup域的进一步扩展至多机柜,光互联优势有望逐步显现,从而获得渗透率提升机遇。我们认为长期来看,随着光互联向Scaleup的渗透,光通信在AI基础设施投资中的价值量占比有望进一步提升。全球光模块市场模块有望快速扩张。在AI算力需求快速提升的带动下,全球高速数通光模块市场规模有望快速

6、扩张。根据LightCounting于2026年1月发布的报告OpticsforAlClusters,全球高速率(100G及以上)以太网光模块市场规模有望由2025年的164亿美金扩张至2031年的521亿美金。看好光模块上游核心材料发展机遇InP、薄膜铌酸锂。随着近年800G、1.6T光模块需求量的快速提升,以及未来3.2T时代的渐行渐近,我们看好光模块上游核心材料的发展机遇,本篇报告中我们将系统梳理InP衬底与薄膜铌酸锂两大产业的成长逻辑:其中InP衬底受益于光芯片厂商需求的快速拉动,行业呈现供不应求趋势;薄膜铌酸锂基于低功耗、高带宽等优势,有望于3.2T可插拔方案中迎来导入窗口期,产业链

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1. **光模块需求高增长**:全球高速率(100G及以上)数通光模块市场规模预计从2025年164亿美元增至2031年521亿美元,光芯片市场规模从2024年26亿美元增至2030年229亿美元(CAGR 44%)。 2. **InP衬底供不应求**:受益于800G/1.6T光芯片需求,全球InP衬底销量(折合2英寸)预计从2019年50万片增至2026年128万片,市场规模达2.02亿美元,CR3超90%(日本住友、北京通美、日本JX)。 3. **薄膜铌酸锂迎机遇**:3.2T光模块时代,薄膜铌酸锂调制器因低功耗、高带宽优势将导入,2031年市场规模预计达3.82亿美元(CAGR 271%)。 4. **产业链壁垒高**:InP衬底和薄膜铌酸锂制备工艺复杂,国产厂商如云南锗业、济南晶正等加速突破,但技术门槛仍存。
**光芯片材料前景?** **铌酸锂技术突破?** **3.2T光模块机遇?**
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