国联民生证券在报告中指出，碳化硅功率器件是高压平台下的首选。比亚迪在超级e平台发布会上正式宣布自研并量产全球首款1500V车规级SiC功率芯片，以支持超级e平台对功率密度的更高要求。根据Yole预测，2029年全球碳化硅功率器件市场规模有望达到99亿美元，2023-2029年CAGR为24%。中国衬底供应商在全球举足轻重，天岳先进和天科合达位列全球前五。

提升电压平台是提升充电功率的首选路径。比亚迪兆瓦闪充最高充电电压达到1000V，是全球首个量产的乘用车“全域千伏高压架构”。通过提升电流来提升充电功率面临安全和能耗问题，因此提升电压是更优路径。

SiC比Si更适用于高压应用场景。SiC材料和传统Si材料相比，在带隙、击穿场强、电子迁移率等参数方面具有明显优势。SiC MOSFET可同时达到高电压和高频率，散热性能更好。相比硅基IGBT，SiC芯片面积更小、厚度更薄，根据三菱电机案例，SiC模块面积比IGBT减小56%。以机械臂为例，传统IGBT需要21条电缆，使用SiC MOSFET可减少到2条长电缆。

比亚迪自主开发了1500V耐压的碳化硅功率模块。1000V电压平台要求功率模块一定要达到1500V。通过双面银烧结工艺与高温封装技术，模块耐压提升至1500V，节温耐受能力达200°C。对称晶圆布局将杂散电感降至5nH，输出电流高达1000A，实现高电压与高电流的完美协同。

SiC或将逐步提升在新能源车、大功率充电桩、光伏、储能等领域的应用。搭配SiC主驱新增车型数量从2020年2款快速增长至2023/2024年分别45/47款。驱动电机控制器、OBC、DC/DC、空调压缩机均为SiC主要使用场景，充电桩侧使用率也在逐年提升。

衬底是SiC器件制造核心原材料，成本占比高达47%。衬底的材料性能对SiC功率器件性能至关重要。全球SiC衬底市场规模从2019年26亿元增至2023年74亿元，CAGR约29.89%。2030年有望达664亿元，2024-2030年CAGR约39.02%。

全球前五大碳化硅衬底供应商为Wolfspeed（22.5%）、天岳先进（14.8%）、天科合达（13.0%）、Coherent（11.3%）、Sksiltron css（6.8%），合计占全球68%份额。中国2家公司入围，天岳先进排名全球第二，彰显中国衬底供应商在全球举足轻重的地位。

2023年全球功率SiC器件市场规模约27.46亿美元，新能源车和铁路占比约73%，工业约25%。Yole预测2029年达98.73亿美元，2023-2029年CAGR为24%。竞争格局高度集中：ST意法（32.6%）、安森美（23.6%）、英飞凌（16.5%）、Wolfspeed（11.1%）、罗姆（8.0%）合计占92%份额。

增长驱动力主要来自新能源汽车、光伏储能、AI服务器数据中心等领域对更高功率密度的需求。比亚迪超级e平台的推出将进一步加速SiC在新能源车领域的渗透，带动整个SiC产业链高速增长。

表：碳化硅产业链核心环节与市场规模

环节	核心参与者	市场规模	增长驱动
衬底	Wolfspeed、天岳先进、天科合达	2023年74亿元，2030年664亿元	新能源汽车、光伏储能
功率器件	ST意法、安森美、英飞凌	2023年27.46亿美元，2029年99亿美元	800V/1000V平台渗透
车规SiC芯片	比亚迪（1500V自研）	随高压平台渗透增长	1000V平台量产