利基存储市场正迎来供给端的结构性出清。民生证券研究所研报指出，三星、海力士预计2025年内退出DDR3/DDR4市场，三星同时将退出2D NAND市场。供给收缩已推动SLC NAND价格自4Q24以来反弹7%-21%。本文基于民生证券研报，深入分析利基存储市场的供需格局改善趋势及增量机遇。

利基存储市场正在经历供给端的历史性出清。DRAM方面，三星、海力士预计2025年内退出DDR3和DDR4市场，专注DDR5和HBM等AI相关产品线。NAND方面，三星预计将在2025年内退出2D NAND市场，将资源集中于更高附加值的3D NAND产品。

龙头原厂的退出决策基于明确的战略考量。AI算力爆发带来的HBM、DDR5、企业级SSD等高附加值产品需求旺盛，先进制程产能供不应求。相比之下，DDR3/DDR4、2D NAND等传统利基产品利润率较低，退出利基市场、将产能转向先进产品是龙头厂商的理性选择。

供给出清的效果已在价格端显现。SLC NAND价格在2023-2024年全年呈现周期下行、期间无明显反弹，但伴随海外原厂相继退出，自4Q24以来已出现明显反弹。最新一周（3月10日）8Gb/4Gb/1Gb容量SLC NAND现货均价分别为2.88/1.50/0.77美元，较前低分别反弹7%/21%/11%。

但利基市场整体仍处于周期底部。参考业内龙头华邦的月度经营数据，公司主要产品包括NOR Flash、SLC NAND、利基型DRAM等，3Q24-1Q25收入维持在同比持平水平，距周期前高仍有距离。随着龙头原厂在2025年内完成退出，供需格局有望迎来根本性改善。

表3：龙头原厂利基存储退出计划（2025年）

产品领域	厂商	退出计划
DRAM	三星	退出DDR3/DDR4
DRAM	海力士	退出DDR3/DDR4
NAND	三星	退出2D NAND

海外龙头的退出为国内利基存储厂商打开了明确的国产替代空间。国内主要利基存储厂商包括兆易创新（NOR Flash、利基DRAM）、北京君正（车规SRAM/DRAM/FLASH）、普冉股份（NOR Flash、EEPROM）、东芯股份（NAND、NOR、DRAM）等。

DRAM方面，三星、海力士退出后DDR3/DDR4市场将出现供给缺口，国内厂商有望承接部分份额。NAND方面，三星退出2D NAND后，SLC NAND等利基市场供需格局将显著改善。国内厂商在成本控制和客户响应方面具备优势，有望在这一轮供给重构中扩大市场份额。

华邦电子的月度营收数据是观察利基存储市场景气度的重要指标。3Q24-1Q25华邦收入维持在同比持平水平，距周期前高仍有距离。但供给出清是结构性变化，一旦龙头原厂完成退出，供给缺口将带来价格和盈利的持续修复。

国内利基存储厂商当前估值已充分反映周期底部的悲观预期。随着供给出清落地、价格回暖传导至业绩端，板块有望迎来盈利和估值的双重修复。建议关注兆易创新、北京君正、普冉股份、东芯股份等利基存储龙头。