TOPCon背面膜其他制备方法存在的问题-行业数据

公司开发的 PEALD 二合一平台，集成了 PEALD 和 PECVD 两种工艺，分别用于制备隧穿层和多晶硅层，能够弥补 LPCVD 存在的不足。在氧化硅隧穿层的制备中，目前较常见的有高温热氧化法、等离子体氧化法和 PEALD 技术。高温热氧化法、等离子体氧化法在实践中也均存在问题。公司开发出了 ZR5000×2PEALD“二合一”产品，创新性的将 ALD 技术应用于氧化硅层的制备，能够连续完成 TOPCon 电池的背膜结构（隧穿氧化硅/原位掺杂多晶硅）镀膜。跟上述氧化法相比，采用 ALD 技术可以获得超薄（＜2nm）、大面积均匀性、致密性好、无针孔的氧化硅层。