微导纳米-公司研究报告-专注ALD技术光伏和半导体双向高成长-230120（36页）.pdf

1、 敬请参阅末页重要声明及评级说明 证券研究报告 专注专注 A ALDLD 技术，光伏和半导体双向高成长技术，光伏和半导体双向高成长 微导纳米（微导纳米（688147688147）公司研究/公司深度 主要观点：主要观点：ALDALD 技术领军企业，聚焦光伏与半导体技术领军企业，聚焦光伏与半导体 公司专注于 ALD 技术，引领国内 ALD 技术的发展应用。公司为国内首家将 ALD 技术规模化应用于光伏领域，也是国内首家成功将量产型High-k 原子层沉积设备应用于 28nm 节点集成电路制造前道生产线的设备公司，并不断在泛半导体领域拓展产品应用外延。2021 年度和 2022 年前三季度公司营收分

2、别为 4.28 亿元、3.85 亿元，归母净利润分别为 4,611.37 万元、-325.47 万元，截至 2022 年 9 月末，公司已取得在手订单 19.75 亿元。公司前期研发投入高，新产品开拓初期的毛利率有一定影响，规模效应有望带来利润加速回升。光伏：立足光伏：立足 ALDALD，新型电池技术全面布局，新型电池技术全面布局 P PERCERC：公司量产设备镀膜速率突破 10,000 片/小时，打破制约 ALD技术应用于光伏领域的产能限制。2018 年、2019 年公司 PERC 电池背钝化设备装机容量市占率分别为 41.16%、48.41%。T TOPConOPCon：（1）ALD 设

3、备在 TOPCon 电池正面氧化铝工艺中，可沉积超薄的、高深宽比的膜层，更适应正面镀钝化膜的复杂形貌，首先取得较高市占率。（2）公司开发的 PEALD 二合一平台，集成了PEALD 和 PECVD 两种工艺，分别用于制备隧穿层和多晶硅层，有望受益于 TOPCon 路线持续扩产。I IBCBC：由于平台化技术特征，IBC 可以和 HJT、TOPCon 技术结合，电池制备工艺更为多变。其中，ALD 设备在钝化层的制备中具有重要地位，且需求量往往更高。H HJTJT：公司 PECVD 技术可以应用于本征非晶硅层沉积，ALD 设备也储备用于 TCO 层沉积。钙钛矿：钙钛矿：ALD 具有衬底温度较低、可

4、精确控制膜厚、大面积生长、薄膜均匀性好、三维保形性好等特点，在TCO等功能层、缓冲层和封装中都具备广泛的应用条件。公司根据下游客户需求进行相应储备。半导体：半导体：ALDALD 技术中的国产替代先行者技术中的国产替代先行者 随着我国半导体设备市场需求量增长及国产化率提升，国产随着我国半导体设备市场需求量增长及国产化率提升，国产ALDALD设备市设备市场 空 间 不 打 断 开，带 来 领 先场 空 间 不 打 断 开，带 来 领 先 ALDALD 设 备 公 司 机 会。设 备 公 司 机 会。我 们 预 计2022/2023/2024 我国国产 ALD 设备规模分别为 5.21/6.26/9

5、.59 亿元，yoy+37.42%/20.15%/53.38%。公司公司ALDALD技术在泛半导体的各细分领域技术在泛半导体的各细分领域深度拓展。深度拓展。在逻辑芯片领域，公司为国产首家突破 28nm 制程 High-k 材料沉积技术；在存储芯片领域，公司 ALD 技术可以用于3D NAND、铁电存储（FeRAM）等先进存储技术 投资评级：投资评级：增持增持（首次（首次）报告日期：2023-1-20 收盘价（元）31.2031.20 近 12 个月最高/最低（元）32.5032.50/25.0825.08 总股本（百万股）454.46454.46 流通股本（百万股）37.59 37.59 流通

6、股比例（%）8.27%8.27%总市值（亿元）141.79 141.79 流通市值（亿元）11.73 11.73 公司价格与公司价格与沪深沪深 3 30000 指数指数走势比较走势比较 分析师：分析师：张帆张帆 执业证书号：S0010522070003 邮箱： 分析师：分析师：徒月婷徒月婷 执业证书号：S0010522110003 邮箱： -20%-10%0%10%20%2022-122023-012023-012023-01微导纳米（前复权）沪深300 敬请参阅末页重要声明及评级说明 2 2/3636 证券研究报告 微导纳米微导纳米（688147688147）领域；在新型显示领域，公司的 A