2021年中国IGBT市场规模及成长空间分析报告（32页）.pdf

1、3) 2011年，公司攻克了IGBT模块的电磁场分布仿真及结构设计、金属端子外壳插接和注塑等技术，研发出公司工业级中等功率模块系列;4) 2012年,公司攻克了大功率半导体器件的串并联及动静态均流、均压技术、多DBC并联等技术，研发出公司工业级大功率IGBT模块系列;5) 2013年，公司攻克了超声波焊接端子、铜基板集成散热器等技术，研发出公司汽车级模块系列;6) 2015年,公司攻克了银浆烧结、铜线键合等技术，研发出公司碳化硅模块系列;7) 2017年，公司攻克了多功能集成功率组件设计及封装工艺技术，研发出车用48V BSG功率组件产品。8) 2019年,公司攻克了双面焊接、塑封工艺等技术，

2、研发出车用双面焊接模块系列。(2) IGBT 芯片: IGBT芯片是IGBT模块中最核心的原材料,研发难度较大，市场上可选择的供应商资源较少，客户验证周期较长，故公司较早开始布局研发IGBT芯片。2012 年，公司成功独立研发出了NPT型IGBT芯片，并于2012年实现量产。2015年，公司成功独立研发出了最新-代FS-Trench型IGBT芯片，与市场主流的进口芯片性能相当，并于2016年底实现量产。到2018年底公司已量产所有型号的IGBT芯片。(3)快恢复二极管芯片:快恢复二极管芯片较IGBT芯片来说研发难度相对较低且市面.上可以选择的供应商较多，多个品牌的可替代性保证在公司发展过程中不

3、会出现对某个供应商存在重大依赖情形,故公司开始研发快恢复二极管的时间较晚。2017年底，公司成功研发出漏电流小,正温度系数的快恢复=极管芯片,并实现量产。到2018年底公司已量产所有型号的快恢复二极管芯片公司的核心技术包括IGBT芯片和快恢复二极管芯片的设计、工艺和测试及IGBT模块的设计、制造和测试。其中, IGBT芯片技术包括IGBT芯片场终止设计、IGBT芯片高压终端环设计、超薄片工艺、大功率半导体器件的串并联技术及动静态均流均压技术;快恢复二极管芯片技术包括局部和全局少子寿命控制技术的协调设计，场终止层的优化设计,高压终端区域和阳极设计相匹配的离子注入和扩散工艺以及高可靠性的钝化层淀积工艺;IGBT模块制造技术包括IGBT模块的结构设计技术、IGBT模块的生产工艺及对功率半导体器件的静态、动态电参数及热参数测试的技术等。公司的核心技术均为自主研发创新，目前针对上述核心技术已成功申请了99项专利,其中包括28项发明。斯达半导已经成功研发出FS-Trench型IGBT芯片并实现规模化量产。同时斯达已经成功研发出可多个芯片并联的快恢复二极管芯片，具备正温度系数、漏电流小的特性。以上两种芯片已成功应用于大功率工业级和车用级模块，打破了大功率工业级和车用级模块完全依赖进口芯片的被动局面。