1、根据中国半导体封装业的发展,半导体封装技术的发展历史可大致分为以下五个阶段: 第一阶段:20 世纪70 年代以前(通孔插装时代),封装技术是以DIP 为代表的针脚插装,特点是插孔安装到PCB 板上。这种技术密度、频率难以提高,无法满足高效自动化生产的要求。 第二阶段:20 世纪 80 年代以后(表面贴装时代),用引线替代第一阶段的针脚,并贴装到PCB 板上,以SOP 和QFP 为代表。这种技术封装密度有所提高,体积有所减少。 第三阶段:20 世纪 90 年代以后(面积阵列封装时代),该阶段出现了 BGA、CSP、WLP为代表的先进封装技术,第二阶段的引线被取消。这
2、种技术在缩减体积的同时提高了系统性能。 第四阶段:20 世纪末以后,多芯片组件、三维封装、系统级封装开始出现。 第五阶段:21 世纪以来,主要是系统级单芯片封装(SoC)、微机电机械系统封装(MEMS)。 目前全球半导体封装的主流正处在第三阶段的成熟期和快速发展期,以 CSP、BGA、WLP等主要封装形式进入大规模生产时期,同时向第四、第五阶段发展。从发展历史可以看出,半导体封装技术的发展趋势可归纳为有线连接到无线连接,芯片级封装到晶圆级封装,二维封装到三维封装。 2、封装技术 根据技术先进性,封装技术可分为传统封装技术和先进封装技术两大类。传
3、统封装技术包括DIP、SOP、QFP、WB BGA 等,先进封装技术包括 FC、WLP、FO、3D 封装、系统级封装等。随着晶圆代工制程不断缩小,摩尔定律逼近极限,先进封装是后摩尔时代的必然选择。 (1)SIP/DIP单列直插封装(Single Inline Package,SIP)的引脚从封装体的一个侧面引出,排列成一条直线,SIP 的引脚数量一般为 2-23 个。 双列直插封装(Dual Inline Package,DIP)的外形为长方形,在两侧有两排平行的金属引脚,称为排针。DIP 封装的产品需要插入到具有 DIP 结构的芯片插座上,或者直接插在有相同焊孔数和几何排
4、列的电路板上再进行焊接。引脚数一般不超过 100,适合中小规模集成电路封装。 (2)SOP/QFP小外形封装(Small Out-Line Package,SOP)的引脚从封装两侧引出,呈海鸥翼状(L 字形)。 方型扁平式封装(Quad Flat Package,QFP)的管脚很细,引脚之间距离很小,可实现更多的 I/O 数,但仍受限于 0.3mm 的引脚间距极限。 (3)BGA球栅阵列封装(Ball Grid Array Package,BGA)用焊球代替周边引线,成阵列分布于封装基板的底部平面上,是在生产具有数百根引脚的集成电路时,针对封装必须缩小的难题所衍生
5、出的解决方案。 与上一代的 QFP 相比,BGA 在减小体积和重量的情况下增加了I/O 数量,但引脚的间距可以做得更大,成品率反而提高了;由于焊球间距明显短于引线,BGA 电性能更好;焊球的共面性也改善了散热性。 根据芯片的位置不同可分为芯片表面向上和向下两种;按焊球排列方式可为球栅阵列均匀分布、球栅阵列交错分布、球栅阵列周边分布等;按密封方式可分为模制密封和浇注密封等;按基板材料可分为塑料球栅阵列 PBGA( Plastic Ball Grid Array)、陶瓷球栅阵列 CBGA(Ceramic Ball Grid Array)、载带球阵列TBGA(Tape Ball Grid Array)等。