半导体设备行业国产化现状深度分析-220824（50页）.pdf

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1、请务必阅读末页的免责条款和声明2022年年8月月24日日半导体设备行业国产化现状分析半导体设备行业国产化现状分析中信证券研究部中信证券研究部 电子组电子组徐涛徐涛/王子源王子源半导体设备深度专题半导体设备深度专题目录目录CONTENTS11.中国大陆晶圆厂扩产拉动各类半导体设备需求中国大陆晶圆厂扩产拉动各类半导体设备需求2.国产化趋势：美日设备占比最高，国产占比呈现显著上升趋势国产化趋势：美日设备占比最高，国产占比呈现显著上升趋势3.设备厂商现状：优秀国产厂商涌现，国产替代有望加快设备厂商现状：优秀国产厂商涌现，国产替代有望加快4.总结：坚定看好设备国产替代趋势总结：坚定看好设备国产替代趋势8

2、XpXeX8VvXjWtXcVbR8Q7NoMnNsQsQiNqQzRfQoMqN8OpPyRwMrNqOMYmRmN21.中国大陆晶圆厂扩产拉动各类半导体设备需求中国大陆晶圆厂扩产拉动各类半导体设备需求I.I.半导体制造工艺和晶圆厂设备需求情况半导体制造工艺和晶圆厂设备需求情况II.II.中国大陆产线进展：行业增速中国大陆产线进展：行业增速39%39%，晶圆厂扩产拉动各类半导体设备需求，晶圆厂扩产拉动各类半导体设备需求III.III.国内主要下游晶圆厂扩产进展更新和对应市场空间测算国内主要下游晶圆厂扩产进展更新和对应市场空间测算3资料来源：各公司官网，中信证券研究部资料来源：Intel官网，

3、中信证券研究部半导体产业链各环节半导体产业链各环节晶圆制造流程晶圆制造流程半导体制造：世界最精密制造业，纳米级工艺半导体制造：世界最精密制造业，纳米级工艺晶圆涂光刻胶光刻曝光光刻曝光刻蚀光刻胶清洗离子注入晶体管形成薄膜沉积薄膜沉积化学机械抛光金属多层连接IC设计IC制造封装测试IC设备IC材料IP、EDA工具集成电路内部结构纵切示意图集成电路内部结构纵切示意图资料来源：Semiengineering，中信证券研究部4半导体制造：工艺主流尺寸缩进，摩尔定律半导体制造：工艺主流尺寸缩进，摩尔定律2年递减年递减资料来源：各公司网站，中信证券研究部台积电、英特尔、三星台积电、英特尔、三星 14/16n

4、m、10nm、7nm工艺指标比较工艺指标比较IRDS基本路线图16/14nm英特尔英特尔1414nmnm三星三星 1414nmnmTSMC 16nmIRDSIRDS基本路基本路线图线图1010nmnmTSMC 10nm三星三星 1010nmnm TSMC 7nmTSMC 7nm+三星三星 7 7nm nm EUVEUV英特尔英特尔1010nmnm量产时间量产时间20152014201520152017201720172018Q22019Q220192019H2晶体管结构FinFET/FDSOIFinFETFinFETFinFETFinFET/FDSOIFinFETFinFETFinFETFin

5、FETFinFETFinFET鳍片间距Fin pitch(nm)42434945363642N/AN/A2734栅极间距Gate pitch(nm)7070788854666854N/A5454最小金属间距Min Metal pitch(nm)5652677036424840N/A3636逻辑单元高度(nm)N/AN/AN/AN/AN/A360420N/AN/AN/A272逻辑晶体管密度逻辑晶体管密度（MTr/mmMTr/mm）N/A37.530.529N/A48.151.680100101.2100.8鳍片高度Fin height(nm)42423737454449N/AN/AN/A53栅极

6、长度Gate length(nm)24-2624303320-22N/A25N/AN/AN/A18N+1(8nm)主流晶圆厂先进制程进展主流晶圆厂先进制程进展5设备类型：薄膜沉积、刻蚀、过程控制等设备均为百亿美金级别市场设备类型：薄膜沉积、刻蚀、过程控制等设备均为百亿美金级别市场资料来源：半导体制造技术（Michael Quirk），中信证券研究部晶圆厂半导体制造流程及相关半导体设备示意图21.9%21.3%20.4%11.2%4.8%4.7%3.8%3.8%2.6%2.5%2.2%0.8%薄膜沉积光刻刻蚀过程控制自动化制造和控制清洗涂胶显影其他晶圆级设备CMP快速热处理/氧化扩散离子注入去胶