2025光刻机行业发展历程、市场格局及国内供应链厂商梳理分析报告（45页）.pdf

1、 2025 年深度行业分析研究报告 内容目录内容目录 1、光刻工艺：芯片制造技术难度最大环节.5 2、光刻机部件：光源、照明系统、投影物镜为核心组件.12 3、光刻机市场：ASML、Nikon、佳能垄断.25 3.1 光刻机发展历程：步进扫描投影式光刻机为当前主流机型.25 3.2 千亿级市场，海外三强垄断.28 4、国内供应链厂商梳理.33 4.1 上海微电子：国内光刻机整机制造厂商.33 4.2 国科精密：专注高端曝光光学系统制造.33 4.3 科益虹源：DUV 光源制造商.34 4.4 华卓精科：双工作台制造商.35 4.5 福晶科技：全球头部 LBO 晶体、BBO 晶体供应商.36 4

2、.6 茂莱光学：先进光学镜头供应商.37 4.7 福光股份：光学元件供应商.38 4.8 汇成真空：国内镀膜设备供应商.39 4.9 腾景科技：深耕精密光学与光通信.40 4.10 炬光科技：聚焦光子技术全链布局.41 4.11 永新光学：全球领先光学显微镜厂商.42 4.12 波长光电：国内精密光学元件、组件的主要供应商.43 4.13 菲利华：深耕石英玻璃赛道.44 图表目录图表目录 图表 1：半导体制造八大步骤.5 图表 2：光刻示意图.5 图表 3：光刻工艺基本步骤.6 图表 4：瑞利准则对分辨率定义.7 图表 5：光线通过透镜系统聚焦成像示意图，n 为介质折射率，为镜头的聚光角度.7

3、 图表 6：光刻光源世代演变.8 图表 7：投影物镜 NA 发展路径.8 图表 8：物镜的焦距越短则孔径角越宽，从而获得更高的 NA 和分辨率.9 图表 9：OPC 处理前后的图形及其曝光结果.10 图表 10：二元掩模版 VS 相移掩模版.10 图表 11：光源掩模协同优化的计算结果.10 图表 12：套刻误差原因.10 图表 13：ASML DUV 产品矩阵.11 图表 14：ASML DUV 产品战略.11 图表 15：ASML NXT：2100i 与 2150i 产品情况.11 图表 16：光刻机整体结构图.12 图表 17：EUV 光源功率发展.13 图表 18：击打锡液过程.13

4、图表 19：Cymer 准分子激光器工作原理图.13 图表 20：投影式光刻机的光学原理示意图.14 图表 21：28nm 节点扫描光刻机照明系统中继镜组结构图.14 图表 22：色差示意图.15 图表 23：球差示意图.15 图表 24：彗差示意图.15 图表 25：场曲示意图.15 图表 26：畸变示意图.15 图表 27：像差示意图.15 图表 28：全球面物镜 VS 含非球面物镜.16 图表 29：折反式物镜结构.16 图表 30：传统反射式光路图（早期 EUV 原理装置，主镜和次镜两反射镜）.16 图表 31：六镜系统光路图（NA 为 0.5，所有反射镜都是离轴非球面元件）.16 图

5、表 32：ASML 公司的双工件台工作流程.17 图表 33：步进扫描投影光刻机工件台结构示意图.17 图表 34：曝光区域套刻误差示意图.17 图表 35：工件台位置测量原理示意图（干涉仪 VS 光栅尺）.18 图表 36：双频激光干涉仪原理图.18 图表 37：基于外差干涉的光栅测量原理.19 图表 38：ASML 光刻机的平面光栅测量方案.20 图表 39：Nikon 光刻机混合测量方案.20 图表 40：光刻机的对准系统示意图.20 图表 41：使用对准标记来对齐后续图层.21 图表 42：掩模版与掩模台预对准.22 图表 43：晶圆与晶圆工件台预对准.22 图表 44：阿斯麦、尼康、

6、佳能的对准技术演进路线.22 图表 45：ATHENA 离轴对准技术原理示意图.23 图表 46：SMASH 原理示意图.23 图表 47：接近/接触式投影光刻机结构示意图.26 图表 48：扫描投影光刻机示意图.27 图表 49：光刻机曝光方式的演变.27 图表 50：步进重复式投影光刻机曝光示意图.27 图表 51：步进重复式投影光刻机的发展（1978 年1993 年）.27 图表 52：步进扫描路径示意图.28 图表 53：步进扫描曝光原理示意图.28 图表 54：光刻机市场规模（亿美元）.29 图表 55：2021-2023 全球光刻机出货量（台）.29 图表 56：2023 年全球光