2022年光刻胶市场需求及国产替代趋势发展研究报告（26页）.pdf

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1、2022 年深度行业分析研究报告 目录目录C CO N T E N T SO N T E N T S趋势：国产替代迫在眉睫，国内企业追风赶月趋势：国产替代迫在眉睫，国内企业追风赶月3 3概述：光刻胶是半导体制造核心材料，行业壁垒高筑概述：光刻胶是半导体制造核心材料，行业壁垒高筑市场：晶圆厂扩建拉动需求，但长期被日企垄断市场：晶圆厂扩建拉动需求，但长期被日企垄断 光刻胶是光刻时用于接收图像的介质：光刻胶是光刻时用于接收图像的介质：光刻胶是一种有机化合物，受特定波长光线曝光作用后其化学结构改变，在显影液中的溶解度会发生变化，因此又称光致抗蚀剂。正胶在曝光后发生光化学反应，可以被显影液溶解，留下的薄

2、膜图形与掩膜版相同；而负胶经过曝光后变成不可溶物质，非曝光部分被溶解，获得的图形与掩膜版相反。 主要成分：主要成分：光刻胶是光刻工艺的核心材料，主要由树脂、感光剂、溶剂、添加剂等组成，其中树脂和感光剂是最核心的部分。概述概述| |光刻光刻胶：胶：光刻时用于接收图像的介质光刻时用于接收图像的介质使用使用UVUV光的简易光刻工艺图光的简易光刻工艺图光刻胶主要成分光刻胶主要成分4 4树脂（聚合物）感光剂添加剂光刻胶在光照下不发生化学反应，主要作用是保证光刻胶薄膜的附着性和抗腐蚀性，也决定了一些其他特性如膜厚、弹性、热稳定性等受特定波长光照后在曝光区发生光固化反应，使得材料的物理特性，尤其是溶解性发生

3、显著变化溶剂用以改变光刻胶的某些特性，如为改善发生反射而添加染色剂等为了方便涂覆，要将溶质加入溶剂进行溶解，形成液态物质 光刻技术是半导体制造的关键环节：光刻技术是半导体制造的关键环节：光刻技术用于电路图形生成和复制，是半导体制造最为关键的技术。光刻技术的进步是集成电路技术遵循摩尔定律更新的重要技术先导，其先进程度决定了半导体制造技术水平的高低。光刻工艺贯穿半导体器件和集成电路制造工艺始终，当代超大规模集成电路制作需要几十次乃至上百次光刻才能完成，光刻的最小线条尺寸是集成电路发展水平的标志。 基本光刻工艺流程包括表面处理、涂胶、前烘、对准和曝光、显影、后烘等工序，将所需要的微细图形从光罩转移到

4、待加工基片上。概述概述| |光刻技术是半导体制造最关键的技术光刻技术是半导体制造最关键的技术光刻工艺基本流程光刻工艺基本流程半导体产业链及制造工艺流程半导体产业链及制造工艺流程5 5 光刻胶应用分类：光刻胶应用分类：光刻胶按照下游应用领域划分，主要可分为PCB、面板、半导体三类，每一类光刻胶又有各自细分品类。其中半导体光刻胶技术门槛最高，按照光源波长的从大到小，可分为紫外宽谱(300-450nm)、g线(436nm)、i线(365nm)、KrF(248nm)、ArF(193nm)、EUV(13.5nm)等主要品类，每一种品类的组分、适用的IC制程技术节点也不尽相同。概述概述| |半导体光刻胶是

5、光刻胶重要应用领域之一半导体光刻胶是光刻胶重要应用领域之一半导体光刻胶品类半导体光刻胶品类光刻胶按应用领域分类光刻胶按应用领域分类全球光刻胶市场结构全球光刻胶市场结构6 6主要品类主要品类曝光波长曝光波长使用光源使用光源适用晶圆适用晶圆尺寸尺寸组分组分适用适用ICIC制程技制程技术节点术节点紫外宽谱 300-450nm汞灯5吋聚乙烯醇肉桂酸酯3m以上环化橡胶、双叠氮化物2m以上g线436nm汞灯6吋酚醛树脂、重氮萘醌化合物0.5m以上i线365nm汞灯6吋、8吋0.50.35mKrF248nmKrF准分子激光器8吋聚对羟基苯乙烯及其衍生物、光致产酸剂0.250.15mArF（干法）193nmA

6、rF准分子激光器 8吋、12吋聚脂环族丙烯酸酯及其共聚物、光致产酸剂65130nmArF（浸润法）45nm、32nmEUV13.5nm等离子体12吋聚脂衍生物分子玻璃单组份材料、光致产酸剂32nm、22nm及以下 曝光波长的减小是提高光刻分辨率最有效的途径曝光波长的减小是提高光刻分辨率最有效的途径：根据著名的瑞利判据公式分辨率R=K1*/NA，光刻工艺分辨率的提升可以通过减小光源波长、增加光刻物镜数值孔径NA、减小工艺因子K1三方面实现，而后两者的变动范围相对有限，因此波长的减小是提高光刻分辨率最有效的途径。 发展路径清晰：发展路径清晰：制程节点进化的需求是光刻胶行业发展的驱动因素，光刻胶和光