1、 光刻机光刻机关键关键技术技术 行业专利分析报告行业专利分析报告 二一九年 十二 月 报告说明报告说明 中国专利保护协会历年来为会员单位提供其所处行业的政策和专利数据分析服务。2019 年我会为了响应国家关于知识产权助推实体经济的号召,为会员企业提供更加翔实和丰富的行业分析报告。由于我会会员企业在所属行业的位置差异较大,对于知识产权的诉求多样性明显,因此本报告目的仅是为分支行业内所属企业提供专利领域的一般性提示,以供会员企业参考。由于本报告并非商业性报告,因此深度方面无法与商业性报告相比,特此说明。研究人员信息 负 责 人:郝瑞刚 主要执笔人:马志斌 统 稿 人:马志斌 参 与 人 员:马志斌
2、、赵银安、杨中鹤 本报告支持单位 北京开阳星知识产权代理有限公司 摘摘 要要 光刻机先进加工技术一直是被部分国家限制进入中国的重要技术,随着中美贸易摩擦的出现,核心技术受制于人的后果逐渐显现,不少中国企业的利益受损。因此我国必须加快相关核心技术的自主研发进度,以摆脱这种现状,降低类似事件发生的概率。目前,全球光刻机技术最先进的是荷兰的 ASML 公司,ASML 为半导体生产商提供光刻机及相关服务,是目前世界上唯一能生产 7nm 级别的光刻机的企业;目前全球绝大多数半导体生产厂商都向 ASML 采购光刻机,比如英特尔、三星、海力士、台积电、中芯国际等。2019 年美国总统试图阻挠 ASML 向中
3、芯国际出售 7nm 级别光刻机,但并未成功。中国生产的光刻机分辨率已经达到 22nm,结合双重曝光技术后,未来还可用于制造 10nm 级别的芯片。这种超分辨光刻装备制造的相关器件已在中国航天科技集团公司第八研究院、电子科技大学、四川大学华西医院、中科院微系统所等多家科研院所和高校的重大研究任务中得到应用。专利申请方面,按申请人所述国家或地区来分析,中国大陆地区申请的相关专利以 4408 件申请量位居第三,日本和美国申请的相关专利申请量分别位居第一和第二,专利数量分别是中国大陆地区总量的 3.3 倍和 1.9 倍。因此,对于具体申请人来说,相关专利拥有量非常有限,今后一段时间内,政府可适当延长相
4、应的优惠政策,帮助相关企业快速成长,促进光科技相关技术的进一步研发。申请时间上,由于中国大陆地区的专利制度从 1985 年才开始建立,再加上发达国家的技术限制;因此当 1985 中国开始有少量的相关申请的时候,全球相关专利的年申请量已经达到将近 400 件,全球光刻机相关专利的申请已经处于快速增长的状态,中国申请人开始进行光刻机技术研究的时间较晚,直到 2000 年后申请量才逐渐开始增长,2018 年申请的、已公开的专利数量已达到 567 件。因此我国申请人在未来几年内还需继续投入研发,增强我国在光刻机领域的自主知识产权的拥有量,尤其是 10nm 以下分辨率的芯片加工技术,这在国内仍属于空白。
5、对于国际上已经成熟的芯片加工技术,可考虑与相关国家或地区的企业合作,实现技术引进,满足国内相关企业的芯片需求。目目 录录 第 1 章 研究概述.-1-1.1 研究背景.-1-1.1.1 技术发展概况.-3-1.1.2 产业现状.-4-1.1.3 行业需求.-4-1.2 研究对象和方法.-6-1.2.1 技术分解.-7-1.2.2 数据检索.-7-1.2.3 重要专利筛选.-7-第 2 章 全球专利申请状况分析.-9-2.1 申请量发展阶段.-9-2.2 各主要国家/地区申请人专利申请分布.-10-2.3 各主要申请地区与申请目的地分析.-15-2.4 申请人集中度及主要申请人.-16-2.4.
6、1 申请人技术集中度.-16-2.4.2 主要申请人.-17-2.4.3 主要申请人技术分布.-18-2.5 各关键技术主要申请人.-19-2.5.1 掩模技术主要申请人.-19-2.5.2 激光器技术主要申请人.-20-2.5.3 投影透镜技术主要申请人.-20-2.5.4 能量控制器技术主要申请人.-21-第 3 章 中国专利申请状况分析.-23-3.1 申请量发展阶段.-23-3.1.1 总体发展趋势.-23-3.1.2 各光刻机关键技术发展趋势.-24-3.2 申请人类型及主要申请人.-25-3.2.1 申请人类型.-25-3.2.2 主要申请人.-25-3.2.3 掩模技术主要申请人