南京弘久知识产权服务有限公司：2021铌酸锂光电集成器件技术专利分析报告（151页）.pdf

1、专利导航分析报告专利导航分析报告.100铌酸锂光电集成器件技术专利分析报告.100铌酸锂晶体专利分析报告.198铌酸锂薄膜制备专利分析报告.210集成铌酸锂光子器件专利分析报告.223光子芯片专利分析报告.237铌酸锂光电集成器件技术 专利分析报告 南京弘久知识产权服务有限公司南京南智先进光电集成技术研究院有限公司2021 年 8 月 98目目 录录 第一章第一章 前沿前沿 .1 1 1.1 铌酸锂光电集成器件简介.1 1.1.1 铌酸锂晶体简介.1 1.1.2 铌酸锂薄膜制备简介.3 1.1.3 光子芯片简介.5 1.1.4 集成铌酸锂光子器件简介.7 1.2 产业政策.9 1.3 研究方法

2、.10 第二章第二章 铌酸锂光电集成器件专利态势分析铌酸锂光电集成器件专利态势分析 .1212 2.1 铌酸锂光电集成器件全球发展态势分析.12 2.1.1 全球专利申请趋势分析.12 2.1.2 全球专利技术生命周期分析.13 2.1.3 全球专利区域分布分析.14 2.1.4 全球专利主要技术领域分析.15 2.1.5 全球专利主要申请人分析.17 2.2 铌酸锂光电集成器件专利中国发展态势分析.18 2.2.1 中国专利申请趋势分析.19 2.2.2 中国专利技术生命周期分析.20 2.2.3 中国专利区域分布分析.21 2.2.4 中国专利主要技术领域分析.22 2.2.5 中国专利主

3、要申请人分析.24 2.2.6 专利功效气泡图分析.26 2.3 铌酸锂光电集成器件重点企业、高校分析.29 2.3.1 村田制造有限公司.29 2.3.2 日本碍子株式会社.31 2.3.3 浙江大学.35 2.3.4 中国科学院半导体研究所.38 992.4 铌酸锂光电集成器件重点专利分析.41 第三章第三章 铌酸锂光电集成器件重点技术专利态势分析铌酸锂光电集成器件重点技术专利态势分析.6767 3.1 铌酸锂晶体专利发展态势分析.67 3.1.1 专利申请趋势分析.67 3.1.2 专利技术生命周期分析.68 3.1.3 专利区域分布分析.69 3.1.4 专利主要技术领域分析.69 3

4、.1.5 专利主要申请人分析.71 3.2 铌酸锂薄膜制备技术发展态势分析.72 3.2.1 专利申请趋势分析.72 3.2.2 专利技术生命周期分析.73 3.2.3 专利区域分布分析.74 3.2.4 专利主要技术领域分析.74 3.2.5 专利主要申请人分析.76 3.3 光子芯片专利发展态势分析.77 3.3.1 专利申请趋势分析.77 3.3.2 专利技术生命周期分析.78 3.3.3 专利区域分布分析.79 3.3.4 专利主要技术领域分析.79 3.3.5 专利主要申请人分析.81 3.4 集成铌酸锂光子器件专利发展态势分析.82 3.4.1 专利申请趋势分析.83 3.4.2

5、专利技术生命周期分析.84 3.4.3 专利区域分布分析.85 3.4.4 专利主要技术领域分析.85 3.4.5 专利主要申请人分析.87 第四章第四章 结论与建议结论与建议 .8989 4.1 产业发展总结.89 4.2 产业发展建议.91 1004.2.1 政府层面.91 4.2.2 企业层面.92 101第一章 前沿 1.1 铌酸锂光电集成器件铌酸锂光电集成器件简介简介 铌酸锂光电集成器件是现代通信产业的核心部件，其中关键器件电光调制器用来将计算机设备中的高速电子信号转换为光信号，从而通过光纤传输。这种更加微型、高效的电光调制器，其数据传输速度更快，功耗和成本更低，有望促进 5G/6G

6、 产业发展。以电光调制器的应用为例，目前市场上的硅基电光调制器速率一般在 25GHz，理论最大值是 60GHz。市场上 50GHz、100GHz 硅基电光调制器，都是用多个硅基电光调制器并联来实现的。而利用 CIS 铌酸锂薄膜刻蚀得到的波导结构制作的电光调制器，其电光响应效率会明显提高，近两年基于这种技术制作的铌酸锂电光调制器，其调制速率据报道可达到 100GHz 的水平，同时其带宽大、能耗非常低，调制电压也比较低，并可以与 CMOS 工艺兼容。这在以前传统的 Ti 扩散和质子交换波导来说，是无法想象的。下面给将对关于铌酸锂光电集成器件相关的铌酸锂晶体、铌酸锂薄膜制备、光子芯片和集成铌酸锂光子