2022年光刻胶国内市场发展分析及国产化需求研究报告（87页）.pdf

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1、2022 年深度行业分析研究报告 目录一、光刻胶投资逻辑框架2.0二、光刻胶详解：探其配方，究其壁垒四、国产化迫切驱动国内企业奋起直追光刻胶国内市场及国产化率详解三、产业链日美垄断，核心原料受制于人光刻胶研发及产业化应用历程光刻胶及上游材料A股投资表1.1 光刻胶研发及产业化应用历程单体研发光刻胶原材料基础化工原料树脂溶剂光引发剂单体光刻胶配方研究实验室成品胶客户端验证批量供应成胶进入Fab供应链体系客户端验证送样检验预计历时6-24个月预计历时6-24个月合成树脂质量控制技术配方技术难点合成树脂进行验证测试指标质量体系认证中试批量供货预计研发历时3-5年，方正证券研究所1.2 光刻胶投资地图

2、：全球市场稳健增长光刻胶全球市场规模87亿美元120+亿美元2020年2026年PCB光刻胶半导体光刻胶树脂光引发剂溶剂添加剂KrF光刻胶i线光刻胶EUV光刻胶ArF光刻胶20.4亿美元20.4亿美元2020市场格局面板光刻胶原材料g线光刻胶光学光刻22.5亿美元全球半导体成胶巨头全球光刻胶原材料巨头单体及其他CAGR5.5%光电公告，方正证券研究所1.2 光刻胶投资地图：国产化率低，差距大g线光刻胶国产化进度国内企业20%i线光刻胶KrF光刻胶ArF光刻胶EUV光刻胶20%5%1%研发阶段24.80501001502002017201820192020#REF!半导体光刻胶CAGR 22%国

3、内光刻胶市场规模CAGR 12.5%半导体光刻胶光刻胶亿元配方技术质量控制技术原材料技术配方壁垒下游认证壁垒产业高壁垒覆盖节点技术与应用有限国产化率低研发积累有限人才缺口原材料依赖进口高壁垒落后原因强力新材树脂单体PCB原材料成品胶1.3 光刻胶及上游材料A股投资表光引发剂溶剂LCD半导体中节能万润晶瑞电材彤程新材上海新阳南大光电华懋科技圣泉集团彤程新材华懋科技江苏德纳江苏华伦江苏天音百川股份久日新材西安瑞联宁波微芯东方材料飞凯材料雅克科技永太科技华懋科技强力新材华懋科技久日新材华懋科技晶瑞电材彤程新材容大感光强力新材广信材料飞凯材料目录一、光刻胶投资逻辑框架2.0二、光刻胶详解：探寻配方，究

4、其壁垒四、国产化迫切驱动国内企业奋起直追沿波讨源：光刻胶详解、原料拆解及分类三、产业链日美垄断，核心原料受制于人追本溯源：光刻工艺及光刻胶发展历史高壁垒产业：原料依赖进口，配套设备及下游认证光刻胶生产：生产流程及设备2.1 探寻光刻技术：源于印刷术TOK公告，方正证券研究所光刻曝光l 光刻技术是利用光化学反应原理和化学、无力刻蚀方法将掩模版上的图案传递到晶圆的工艺技术。 光刻的原理起源于印刷技术中的照相制版，与印刷术不同，光刻工艺并非使用油墨为介质，而是借助光敏物质在受到光照(曝光)后发生的化学变化，完成这一信息的转移。l 光刻技术按曝光光源主要分为光学光刻和粒子束光刻(常见的粒子束光刻主要有

5、X射线、电子束和离子束光刻等)。其中光学光刻是目前最主要的光刻技术，在未来几年仍占主流地位l 在摩尔定律的引领下，光学光刻技术经历了接触/接近、等倍投影、缩小步进投影、步进扫描投影等曝光方式的变革。浸没式光刻原理2.1 光源波长降低：大势所趋方正证券研究所l 随着集成电路器件尺寸不断缩小，芯片运算速度以及集成度不断提高，对光刻技术曝光分辨率提出了更高要求。l 光学分辨率是指能在晶圆上成像的最小特征尺寸。对于光学投影光刻系统，分辨率由瑞利公式决定：R=k1/NA。其中k1为工艺因子，为光波长，NA为投影物镜的光学数值孔径。l 根据瑞利公式，改进光学分辨率的方法有三个途径，降低k1值，提高数值孔径

6、NA和降低波长。在这些途径中，增大数值孔径和缩短曝光波长是通过改变曝光设备实现的，而k1因子的降低则是通过工艺技术的改进去实现的。为此降低曝光光源的波长是光刻技术和设备的一个重要发展。光刻技术节点的发展历史EUV光源的光路示意图2.1 光刻应用：半导体制造工艺流程公告，方正证券研究所计算光刻光学邻近校正源掩码优化光刻计量&检查曝光光刻胶涂层沉积去胶重复步骤以增加层数离子注入蚀刻烘培和显影电子束检查通过光刻机使用光在光刻胶中制作图案将杂志原子嵌入到不受抗蚀剂保护的区域以改变半导体材料的参数在晶圆上添加一层硅或其他材料使用化学品或等离子体去除不受晶圆抗蚀剂掩模保护的材料将芯片图案作为晶圆光刻胶掩膜