2021年半导体设备分类解析及行业竞争格局研究报告（29页）.pdf

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1、刻蚀设备技术特点CCP 和 ICP的比较：CCP 等离子密度较低，能量较高，可调节性差，更适合硬度较高的介质和金属的刻蚀;ICP 等离子密度高，能量较低，可调节性好，更适合精细度较高的硅刻蚀。当前随着器件精度的提高以及半导体材料的创新，CCP 与 ICP 的应用范围已经不拘泥于介质或硅刻蚀这个笼统分类，实际使用依照需求决定。CCP 和 ICP 刻蚀机在晶圆厂中均有广泛应用，两条技术路线还将长期共存。晶圆厂产线上刻蚀工序有上百道，不同工序可能均需设备的特殊研发，设备在产线上的验证需分工序单独验证，因此刻蚀设备的种类较多。刻蚀设备我国现状中微公司(688012.SH)：刻蚀设备国内领先，以 12

2、寸前道设备为主。公司以 CCP 技术起步，后扩充到 ICP刻蚀，目前 CCP 和 ICP刻蚀机均有产品达到世界先进水平。2020 年公司超过 4 亿元营收来自台湾地区，设备已经进入台积电的 7nm 和 5nm 产线;在长江存储中标比例超过 20%，已有中标以 CCP 为主。北方华创(002371.SZ)：有 8 英寸和 12 英寸 ICP 刻蚀设备，应用领域覆盖 IC、功率的前道，以及先进封装等。部分产品技术达到一流水平，12 寸 ICP 刻蚀机已经在长江存储等客户通过验证，并批量供货。刻蚀机领域未来关注国内长江存储、长鑫存储、中芯国际等的扩产有望为中微公司和北方华创来的显著业绩增量。北方华创

3、目前主要是国内客户，由于拥有较多 8 英寸设备，可充分受益于国内产线的扩产。中微公司除大陆客户外，还在努力稳固在台积电和联电的供应商地位，有望伴随台积电的先进制程发展。刻蚀设备有望成为我国率先打破垄断的主设备。去胶设备去胶设备分类去胶即为刻蚀或离子注入完成之后去除残余光刻胶的过程。去胶工艺类似于刻蚀，只是去胶的操作对象是光刻胶，而刻蚀的操作对象是晶圆介质材料。去胶工艺可分为湿法去胶和干法去胶，湿法去胶即为使用溶液对光刻胶进行溶解，干法去胶即通过等离子体与光刻胶的化学反应完成去胶，目前主流工艺是干法去胶。去胶设备的市场空间和格局2020 年全球去胶设备销售额为 5.38 亿美元，2022 年有望突破 7 亿美元。全球干法去胶设备市场中，我国企业屹唐股份占据 31.3%，位居第一，其后的比思科占据 25.9%，日立高新占据 19.2%。