2021年安集科技公司半导体材料业务与盈利能力分析报告（24页）.pdf

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编号：43195

2021-06-29

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化学机械抛光涉及纳米尺度的界面上，发生的复杂物理化学过程。抛光过程中，界面在抛光液的化学组分作用下发生“软化”，在抛光垫与磨料的共同机械作用下被移除。抛光中的副产物会与抛光液中对应的组分结合，避免在抛光过程中累积在抛光垫上，缩短抛光垫使用寿命或者影响晶圆制造过程中片与片之间的均一性。化学机械抛光液的研发门槛高，业内仅有少数几家企业可以满足先进制程对于抛光液的严苛要求。CMP 抛光液是CMP 过程中的核心耗材，由于化学机械抛光过程涉及到纳米尺度上复杂的化学反应与微观机械作用，因此存在极大的技术难度与挑战。对微观反应过程与机理的深刻认知，是研发一款成熟抛光液的基础。化学机械抛光液的成分与其具体应用有直接关系，研发技术壁垒高。针对不同晶圆制造工艺，抛光液配方中的组分及其浓度需要进行相应的优化与调整。上述两例专利的公开内容中，每类组分均可包含一种或多种响应化合物与添加剂的复配。每一组分的优化浓度亦需要配合下游应用的需求进行调整。因此，成熟抛光液产品的研发需要建立在理论指导下，长期探索出的经验基础上。抛光液的这一特性，决定了其技术壁垒高的特点。

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