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1、以长江存储、长鑫存储、兆易创新为代表的本土厂商正在引领国产存储快速崛起,成为未来国内封测行业的重要增长点。我们详细分析了国内存储领域 NAND Flash、DRAM、NOR Flash 的进展情况:(1)国产NAND Flash 从0 到1,性能优异初露锋芒:长江存储日前披露公司的64 层3D NAND 已成功打入华为 Mate 40 供应链,并且性能表现优异。考虑到以往手机闪存芯片,国产手机主要是依赖三星、铠侠、西数、美光等国际厂商,我们认为这对于推动国产存储器的发展具有从0 到1 的意义。长江存储从 2016 年成立以来发展迅速,先后推出32 层MLC 3D NAND、64 层TLC 3D
2、 NAND、128 层 TLC/QLC 3D NAND,短短3 年时间实现从32 层到64 层再到128 层的跨越,自主创新的Xtacking 架构使得I/O 接口速度更快、存储密度更大、研发效率更高。产能方面,根据集邦咨询数据显示,长江存储在3Q20 投片量已达到5 万片 /月,预计 4Q21 将提高到 10 万片/月。目前主要以 64 层 256Gb TLC 的生产为主,生产良率达90%,随着128 层TLC 产能放量,有望进一步突破在 NAND Flash 领域的市占率。(2)DRAM 领域量产技术突破+产能建设快速推进:国内DRAM 领域主要有长鑫存储、兆易创新。长鑫存储目前已建成第一
3、座 12 英寸晶圆厂并投产,是规模最大、技术最先进的中国大陆 DRAM 厂商。2019 年 9 月长鑫存储内存芯片自主制造项目宣布投产,与国际主流DRAM 产品同步的 10 纳米级第一代8Gb DDR4 首度亮相,一期设计产能每月12 万片/月。根据集邦咨询预估,20Q4 投片量将会达到 4.5 万片/月,21Q4 将进一步增长到8.5 万片/月。兆易创新也积极布局DRAM 领域。2020 年5 月公司定增43 亿元用于DRAM 芯片研发及产业化项目。根据 IC Insights 数据,DRAM 是全球市场规模最大的 IC 产品,2020 年将达到652 亿美元,预计2021 年DRAM 芯片仍将保持最大的IC 市场地位。