晶瑞股份-公司研究报告：从技术积累到产能释放材料国产化持续推进-210427（30页）.pdf

上传人：木***

编号：35265

2021-04-29

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半导体用超净高纯试剂中双氧水、硫酸和氨水消耗占比分别为 34%、33%和 9%，合计占比超过七成。公司超净高纯试剂产品聚焦于价值量最高的半导体领域，三款拳头产品双氧水、硫酸和氨水均达到主流客户最高规格要求 SEMI G5,金属离子低于 10ppt，双氧水产品已经供应华虹宏力、长江存储等国内头部企业，二十多家客户评估也接近尾声。高纯硫酸引用三菱化学量产技术，三菱化学是 TSMC 和 UMC 供应商之一，产品验证通过后有望迅速放量。高品质超净高纯试剂对集成电路极其重要，直接决定了晶圆的良率。尺寸进入亚微米级别，集成电路制造过程中对污染物极度敏感，直接影响产品质量、良率，由污染问题造成产品失效、质量降低比利高达 60%以上。制造过程中需要加入各种清洗和刻蚀工序去除晶圆表面污染物，而清洗和刻蚀工序中使用大量超净高纯试剂。制程节点的推进使得在追求高良率下必须增加更多的清洗步骤，同时也需要更高品质的超净高纯试剂。先进制程对杂质的存在更加敏感，同时更小尺寸的杂质更难清除，提高良率的方法就是增加清洗步骤以及提升设备性能。在80-60nm的工艺制程中，清洗工艺约有 100 个步骤，而当工艺节点来到 20nm 以下时，清洗步骤增加至200道以上，制程工艺每推进一代，清洗步骤增加约 15%。

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