【公司研究】精测电子-显示检测设备复苏半导体业务持续突破-210328（25页）.pdf

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1、存储器市场复苏，设备国产化替代初有收获五重因素驱动行业改善。根据美光预计，2020 年DRAM 的Bit 需求增长1020%，2021年 DRAM 的 Bit 需求增长20%;2020 年NAND 的Bit 需求增长 25%左右;2021 年NAND的 Bit 需求增长 30%。2021 年行业增长受五大因素驱动：1)经济复苏;2)新的 CPU架构带动更多服务器存储需求，预计将在 2021 年下半年开始向 DDR5 过渡;3)云、人工智能和机器学习的增长;4)5G 驱动的移动需求，预计到2021 年，5G 手机的数量将从 2020 年的2 亿台增长到大约5 亿台;5)以及游戏和汽车领域的需求，

2、汽车自动化程度将进一步提高。根据 WSTS，预计2021 年存储行业同比增长 7.6%至1264 亿美元。Nor Flash 供不应求，价格有望持续向上。从2020H2 以来，Nor Flash 回暖，并逐渐进入供不应求。华邦电、旺宏在 2021Q1 涨价510%，预计供需局面将进一步加紧，2021Q2涨幅有可能进一步提高。需求方面，智能手机市场恢复，PC、NB 以及 TWS 需求旺盛，整体向好。尤其是 iPhone 12 系列全系搭载 OLED 屏幕，带动 OLED 外挂Nor Flash 需求增长。供给方面，德州大雪影响下赛普拉斯供应受影响，进一步加剧供需紧张格局。2021 年DRAM 正

3、式进入涨价周期。根据IC insight，DRAM 将成为2021 年增长最快的产品领域之一，营收同比增长 18%。南亚科法说会上预计2021H1 DRAM 合约价有望逐季提升。TrendForce 预估二季度 DRAM 合约均价环比涨幅达 13-18%。其中：2020Q3 以来服务器 DRAM 产能比重下降到 30%，Q2 是传统服务器出货旺季，需求呈现逐月增加趋势，导致价格持续走高。目前主流 DRAM 2021 年 3 月现货价格环比涨超 20%。供给端三大原厂二季度微幅上调服务器DRAM 生产比重，但仍未回到 2020 年中水平，TrendForce 预计二季度服务器DRAM 合约价或将

4、增长两成。智能手机端，目前全球晶圆代工产能紧缺，各手机品牌厂商积极囤生产备料，预计Q3 生产总量维持 3 亿部以上水平。供给端三大 DRAM 原厂二季度服务器生产配比增加，叠加其他产品 DRAM 均价优于手机 DRAM，预计手机 DRAM 产能受到挤压，价格同样有上升趋势。2021H1 宅经济需求强劲，IT 类 TV、机顶盒及网通产品的需求不坠。供给端三大原厂将成熟制程转换至生产 CIS 传感器及更先进制程，台系厂商也将产能转换至盈利水平更高的逻辑 IC 或 Flash，使得 DDR3 产能减少，部分消费类 DRAM Q2 合约价已上涨 20%，后续仍有上行空间。DRAM 价格虽然具有波动性，但是体量持续增长是大趋势。根据IHS，2018-2023 年全球 DRAM 位元出货量维持在15%以上的复合增长率，且19 年开始随着 5G 建设、AIIOT应用持续落地复合增速会接近20%!NAND 供过于求缓解，预计二季度价格有上涨趋势。需求端，2021Q1 以来 PC OEM 和中国智能手机厂商的订单增加以及 Q2 数据中心客户需求旺盛。供给端，德州冬季风暴后，三星在奥斯汀的 Line S2 线工厂仍未恢复全面运营，全球 NAND 供给受限。因此TrendForce 预计 NAND Flash 合约价格在 2021Q1 环比下降 5-10%之后，将在 2021Q1环比增长 3-8%。