《半导体行业深度报告:走进“芯”时代系列深度之六十九“射频国产化”射频国产化迈向纵深供应格局优化进行时-230924(35页).pdf》由会员分享,可在线阅读,更多相关《半导体行业深度报告:走进“芯”时代系列深度之六十九“射频国产化”射频国产化迈向纵深供应格局优化进行时-230924(35页).pdf(35页珍藏版)》请在三个皮匠报告上搜索。
1、证证券研究券研究报报告告本报告仅供华金证券客户中的专业投资者参考本报告仅供华金证券客户中的专业投资者参考请请仔仔细细阅阅读读在在本本报报告告尾部尾部的的重重要要法法律律声声明明射频国产化迈向纵深,供应格局优化进行时射频国产化迈向纵深,供应格局优化进行时分析师:孙远峰 S0910522120001分析师:王臣复 S0910523020006分析师:王海维 S0910523020005半导体行业半导体行业/行业深度报告行业深度报告领先大市领先大市-A-A(维持)(维持)2023年09月24日华金证券电子团队一走进华金证券电子团队一走进“芯芯”时代系列深度之六十九时代系列深度之六十九“射频国产化射频
2、国产化”请仔细阅读在本报告尾部的重要法律声明 2核心观点核心观点u 射频前端是手机实现通信功能的核心器件,从2G、3G、4G走向5G时代,一方面由于手机通信制式从针对地区和运营商的特定设计向“全球通”设计转变,另一方面由于射频前端模块中主要组件的用量增加,推动了射频前端单机价值量的增长。根据 Yole Development 的统计与预测,2022年移动终端射频前端市场为192亿美元,到2028年有望达到269亿美元,2022-2028年年均复合增长率将达到5.8%。其中发射端模组市场规模预计122亿美元,接收端模组预计45亿美元,分立滤波器预计30亿美元,分立传导开关预计9亿美元,天线开关预
3、计19亿美元,分立低噪声放大器预计12亿美元。u 伴随着国内产业链的发展,从技术端来看,国内射频产业链已经陆续有公司具备L-PAMiD大模组的量产能力,整体射频产业链已经完成了从0到1的发展阶段,开始逐步走向更加高端化的产品形态。同时,由于2022年至今下游需求的不景气,导致产业链相关上市公司的估值承压,国内厂商在部分赛道竞争激烈也大大降低了相关厂商的盈利能力,这导致一级股权市场对于射频赛道投入的热度降低,未来整个射频产业链供给格局有望持续优化。u 风险提示:下游需求不景气、同业竞争加剧、产业链相关公司新品研发及导入不及预期TVjWqVpZ8VnVsUpNaQcM7NmOrRtRpMkPrRw
4、PkPoMtN7NmNpPMYpNqPMYoOtP请仔细阅读在本报告尾部的重要法律声明 3u 4G网络的最大的缺点是全球频段众多,频率从700MHz到3.6GHz,导致在设计终端的时候非常复杂。u 5G在通信频率、频段数量、频道带宽和复杂技术应用等方面较4G均存在一定变化,对射频功率放大器的设计提出更高要求。走向走向5G时代,射频前端面临的主要技术挑战时代,射频前端面临的主要技术挑战资料来源:唯捷创芯招股书,慧智微电子官网、华金证券研究所图:走向5G,射频前端面临的主要技术挑战图:全球主要地区频谱分布请仔细阅读在本报告尾部的重要法律声明 4u 芯片平台、射频前端和天线构成了终端的无线通信模块。
5、u 芯片平台包括基带芯片、射频芯片和电源管理芯片,基带芯片负责物理层算法、高层协议的处理和多模互操作的实现,射频芯片负责射频信号和基带信号之间的相互转换。无线通信模块构成无线通信模块构成资料来源:维科网、华金证券研究所请仔细阅读在本报告尾部的重要法律声明 5u 射频前端是无线通信设备的核心部件,连接了天线和收发机电路,实现通信信号在不同频率下的接收和发射,天线上的无线电磁波信号和收发机电路处理的数字信号通过射频前端进行传递。u 射频前端可分为发射链路(TX)和接收链路(RX)。按照组成器件,射频前端可分为功率放大器(PA)、低噪声放大器(LNA)、滤波器(Filter)、射频开关(Switch
6、)。射频前端是无线通信设备的核心部件射频前端是无线通信设备的核心部件资料来源:左蓝微电子官网、华金证券研究所图:无线通信系统结构示图图:无线通信系统结构示图请仔细阅读在本报告尾部的重要法律声明 6u RF switch和LNA已转向SOI工艺;u 射频PA的主流工艺是GaAs,主流之外还有CMOS、SOI和SiGe工艺。应用于射频PA。2G PA以CMOS工艺为主;基于SOI的RF性能特性和成本介于CMOS和GaAs之间,慧智微创新4GPA架构,一二级采用SOI,第三级放大采用GaAs,相比于三级放大都采用GaAs工艺的4GPA来说,成本上会有优势。射频前端核心器件及工艺现状射频前端核心器件及