【国盛证券有限责任公司】电子周观点：磷化铟供需错配显著，重视国产替代机遇-260613（10页）.pdf

1、证券研究报告|行业周报 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 gszqdatemark 电子电子 周观点：周观点：磷化铟磷化铟供需错配显著，供需错配显著，重视重视国产替代国产替代机遇机遇 磷化铟为光芯片的核心衬底。磷化铟为光芯片的核心衬底。光芯片企业通常采用三五族化合物磷化铟（InP）和砷化镓（GaAs）作为芯片的衬底材料，相关材料具有高频、高低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点，符合高频通信的特点，因而在光通信芯片领域得到重要应用，目前磷化铟 80%以上的需求来自 AI 数据中心。InP 激光器市场将继续增长，其中包括用于可插拔光模块和 CPO/NPO 的 CW 激光器，以及用

2、于相干光模块的可调激光器和 InP PIC。根据 LightCounting 的数据，InP 为光芯片市场中最大的细分领域，2025 年占总市场的 58%，到 2031 年将占据 46%（约 69 亿美元）。磷化铟磷化铟进入壁垒高且扩产周期长，进入壁垒高且扩产周期长，扩产瓶颈扩产瓶颈包括原材料限制和设备包括原材料限制和设备交期长交期长等等。1）原材料（高纯铟）限制，中国外交部重申对日稀土管制。中国拥有全球最丰富的铟资源，已查明储量约 2 万吨，占全球可开采储量的 75%。中国从 2023年先行管制镓、锗出口，到 2025 年 2 月将磷化铟正式纳入许可管理，再到2026 年将铟出口总量锁定在年

3、产量的 30%以内，高纯铟（纯度6N）的特批更加严格。对日本的军用出口已降至零，民用许可通过率不足 20%。2）扩产周期长达18-36个月，核心设备依赖进口及8-12个月良率爬坡期。全球MOCVD设备的主要供应商 AIXTRON、Veeco，目前交货周期已长达 7 个月以上，加上后续调试还需 3-4 个月；高端 EBL 设备的交期普遍超过 12 个月，市场由日本JEOL、德国 Raith 等少数厂商主导。根据 QYResearch，EBL 市场高度集中，前五大厂商占据了全球市场的 90%以上。磷化铟衬底磷化铟衬底供给供给市场寡头垄断市场寡头垄断，供需缺口超供需缺口超 70%。根据 Omdia、

4、Yole 数据，2026 年全球磷化铟衬底需求从 2025 年的 200-210 万片提升至 260-300 万片，有效产能仅从 2025 年的 60-70 万片提升至 75 万片左右，缺口仍在 70%以上；2027 年后，行业预测需求将进一步突破 400 万片。磷化铟单晶生长设备与制备技术门槛极高，行业技术壁垒深厚，市场长期由海外龙头主导，呈现高度垄断的竞争格局。2020 年，日本住友、北京通美、日本 JX 合计磷化铟衬底市占率达 91%；目前大规格高品质 InP 衬底的供应仍被日本住友电工、北京通美、日本 JX 三家厂商垄断。面对旺盛需求，海外厂商积极扩产，AXT 计划在 2027 年底前

5、将磷化铟产能翻两番；JX 金属则计划将磷化铟基板产能提升至 2025 年水平的三倍；Lumentum 从 Aixtron 订购了多套磷化铟生产系统，计划在 2028 年中期前专注于扩大 6 英寸磷化铟晶圆的生产；Coherent 计划两年内磷化铟产能翻两番。国内国内 6 英寸磷化铟衬底国产化率不足英寸磷化铟衬底国产化率不足 5%，国产替代进程加速。，国产替代进程加速。云南锗业正加速推进磷化铟产能的全面扩充，2026 年 4 月，公司同意子公司云南鑫耀实施“高品质磷化铟单晶片建设项目”，项目计划总投资约 1.9 亿元，建设期为18 个月，在现有产能基础上扩建一条年产 30 万片（折合 4 英寸计

6、算，其中包括 6000 片 6 英寸）高品质磷化铟单晶片生产线，最终达到年产 45 万片（折合 4 英寸）高品质磷化铟单晶片的产能。可以看到，海外厂商的产能已接近满负荷运行，且扩产周期长达可以看到，海外厂商的产能已接近满负荷运行，且扩产周期长达 2-3 年，无年，无法及时满足快速增长的市场需求。当前磷化铟衬底的供需缺口法及时满足快速增长的市场需求。当前磷化铟衬底的供需缺口大大，头部企业的，头部企业的在手订单已排至在手订单已排至 2028 年。我们认为，在供需紧张和国产替代的双重驱动下，年。我们认为，在供需紧张和国产替代的双重驱动下，国内磷化铟衬底企业将迎来重大发展机遇。国内磷化铟衬底企业将迎来