存储行业深度跟踪报告：长协锁单彰显紧缺延续行业景气有望延续至2027年-260512（49页）.pdf

1、长协锁单彰显紧缺延续，行业景气有望延续至2027年存储行业深度跟踪报告存储行业进入由AI驱动的结构性超级周期，26Q1全球存储公司业绩齐创历史新高，供需紧缺有望延续至2027年甚至更久。价格方面，近期现货价短期扰动不改合约价上行趋势，并不代表存储价格逆转。随着存储厂商逐步签订多年期战略协议，其业绩能见度将显著提升，同时存储产品加速从标准化转向定制化,行业商品化属性与周期波动有望进一步减弱，建议关注海外存储/国内模组/利基存储和上游设备/材料等产业链公司。需求端：AI推理驱动存储全栈式需求结构性激增，定制化趋势或削弱行业周期属性。AI沿“推理AgenticAlPhysicalAl”三阶段演进，叠

2、加2026年全球九大CSP合计资本开支预计达约8300亿美元（同比+79%），共同驱动HBM/ServerDRAM/eSSD/HDD全栈需求增长；其中AI推理成为核心驱动,2025-2031年数据中心AI推理NAND位元需求CAGR高达56%。同时,HBM4起basedie改用逻辑工艺、CXL/SOCAMM/3DDRAM/HBF等新架构持续涌现，存储产品加速从标准化转向定制化，行业壁垒持续提升，存储商品化属性与周期波动有望减弱。供给端：26年原厂资本开支大幅增长，HBM挤占下DRAM/NAND实际新增有效供给非常有限。据SemiAnalysis，2026年DRAM供应低于需求约7%，HBM缺口

3、6%、2027年扩大至9%；据宇瞻预计，2026年DRAM缺口8%、NAND缺口约5%。2026年三大原厂资本开支虽同比大幅增长，但新增晶圆产能高度集中且主要分配给HBM，几乎全部集中于三星P4、海力士M15X、美光A3，其中M15X与A3均主要用于HBM生产；NAND几乎无实际晶圆增量、位元增长主要依靠技术升级，叠加铠侠宣布2028年停产2DNAND进一步收紧供给；其余扩产项目（海力士龙仁、美光铜锣/爱达荷）实质性产出贡献要等到2027H2之后，整体新增有效供给非常有限。库存端：原厂与利基厂库存持续去化、DOI下行，模组厂主动加码备货以锁定供应能力。原厂三星、海力士、美光、南亚科26Q1库存

4、维持低位，美光DRAM库存周转天数已降至120天以下的紧张水平；闪迪为支持新签NBM协议主动备货、库存环比+14%，西部数据DOI环比大幅下降。台厂模组厂（群联、威刚、十钰等）加速备货并签订LTA锁单，利基型厂商（华邦、旺宏、晶豪科）DOI环比下降；大陆江波龙、德明利、佰维三家模组厂26Q1合计库存达422.2亿元再创新高、连续5个季度环比上行，大陆利基型厂商库存增速明显低于模组厂、DOI持续改善。价格端：价格端现货短期扰动不改合约价上行趋势，二季度NAND合约价涨幅领先DRAM。指数层面，DXI、DRAM、NAND价格指数均在4月前后创阶段高点后小幅回落，较高点分别下降0.4%,2.7%,5

5、.3%；现货层面，DDR416Gb月环比回调较大、NAND现货价过去一个月累计跌幅达30-40%，主因前期涨幅过高致买方承接意愿低迷，叠加部分贸易商资金周转压力下降价变现。但合约价上行趋势不变，据TrendForce预计26Q2传统DRAM合约价环比+58.63%、NAND合约价环比+70mathrm-75%，NAND涨幅领先主要受AI/数据中心需求持续旺盛、原厂供给优先满足高价值品类及CSP主动签署LTA锁量等因素驱动；现货短期调整系阶段性扰动，并不代表存储器价格趋势逆转。推荐（维持）相关报告销售端：多年期协议持续加固业绩能见度，供需紧缺有望延续至2027年甚至更久。原厂端，三星、海力士、美

6、光、南亚科26Q1营收与毛利率同步突破历史纪录，一季度DRAMASP环比+mid-60%、NANDASP环比+mathsfmid-70%；各原厂均已积极与客户推进多年期战略协议（SAC/NBM/LTA），美光成功签署首份五年期SCA协议，闪迪签署5份NBM覆盖2027财年超1/3位元生产量、含逾110亿美元财务担保，西部数据/希捷部分LTA已延伸至2028-2029年，业绩能见度与稳定性显著提升。中国台湾与大陆各环节亦全面受益，3/4月单月营收普遍创历史新高：中国台湾利基型厂商产能持续满载、合约价涨幅倍数以上，eMMC等细分品类缺货尤为突出，模组厂受AI驱动的高容量需求带动26Q1营收创单季新