海外科技行业2026年4月存储行业月度跟踪：现货价格短期扰动无碍周期韧性Q2合约价延续高增-260425（10页）.pdf

1、现货价格短期扰动无碍周期韧性，Q2合约价延续高增本报告导读：存储供需失衡持续支撑价格上行，TrendForce预计26Q2通用DRAM/NAND合约价分别上涨85cdot90%和70mathrm-75%。尽管现货市场价格出现局部波动，但在AI存力需求攀升、原厂产能倾斜、下游客户积极锁定长协供应的背景下，行业景气度维持韧性，存储板块核心交易逻辑正从价格上涨预期转向盈利增长持续性的兑现验证。投资要点：26Q1DRAM/NAND合约价涨幅创新高，预计26Q2通用DRAM合约价上涨85-90%，NAND合约价上涨70mathrm-75%。据TrendForce,26Q1通用DRAM合约价上涨93-98

2、%，NAND合约价格上涨58-63%，预计26Q2通用DRAM合约价格上涨85.90%，NAND合约价格上涨70mathrm-75%。AI服务器持续支撑DRAM和企业级SSD需求，CSP加速签署长期协议（LTA）锁定供应，供需缺口短期难以缓解。现货价格方面。现货价格方面，截至4月20日，DDR34Gb现货价较3月底上涨7.0%，DDR48Gb/16Gb现货价较3月底下滑2.8%9.8%。4月初DDR524Gb现货价回升，DDR516Gb现货价较3月初下滑5.5%。NAND方面，3月TLC/QLCNAND现货价较2月上涨3%-17%，MLCNAND现货价涨幅超40%，主因主要原厂退出或减产MLC

3、NAND，市场出现追货、提前锁量现象。3月韩国DRAM/NAND出口额同比增长超2倍3倍，2月韩国半导体产销量同比增长27%/33%。2026年3月韩国存储出口额281.7亿美元，同比增长219.5%,环比增长34.0%。其中DRAM出口额154.2亿美元，同比增长264.6%；NAND出口额25.4亿美元，同比增长382.3%。2月韩国半导体产量/销量/库存同比+27.11%/+33.18%/-8.32%，产销两旺，库存持续快速消耗。D中国台湾主要存储产业链厂商3月营收增幅进一步扩大。中国台湾主要存储原厂、主控芯片厂商及品牌/模组厂商自25年12月以来月度营收维持同比翻倍增长，3月分别增长1

4、94.9%/216.0%/271.3%，增幅相比2月进一步扩大。南亚科表示DRAM供不应求预计延续至2027年上半年，华邦电表示2026年已有产能和新增产能已全部售罄，订单能见度看至2028年。D投资建议：近期部分渠道市场DDR4/DDR5现货价格出现回调，我们认为主要由于前期高价囤货的贸易商为加速资金流转而降价抛售库存，形成局部踩踏，不改变供需失衡背景下价格持续上行的趋势。当前原厂持续将产能向AI服务器相关产品倾斜，虽然部分消费类终端需求面临下修风险，但由于供给受产能分配制约，价格有望延续上行。我们认为当前时点仍处于本轮上行周期中段，主要存储厂商在2027年上半年之前的有效产能增量有限，各细

5、分品类合约价涨幅仍有上修空间；叠加CSP通过长期协议锁定供应，原厂定价权进一步强化，为盈利增长提供坚实支撑，存储板块核心交易逻辑正从需求/价格上涨预期转向盈利增长持续性的兑现验证。建议关注受益于AI存力需求扩张、掌握定价权的龙头原厂美光、SK海力士、三星电子；受益于NAND供给短缺、价格涨幅维持强势的闪迪、铠侠;受益于大厂产能退出的利基型存储厂商南亚科、旺宏、华邦电等。风险提示：技术发展不及预期风险；AI投资过热风险；宏观环境波动风险；地缘政治风险；供应链风险。相关报告1近期存储芯片价格趋势1.1DRAM：合约价延续上涨，DDR4/DDR5现货价略有下滑DDR3/DDR4合约价格:2月DDR3

6、4Gb合约价环比上涨10.0%,DDR44Gb/8Gb/16Gb合约价环比上涨9.1%/13.0%/13.5%。据DRAMexchange,截至2026年2月底,DDR34Gb合约价格为5.50美元,环比上月上涨10.0%；DDR44Gb合约价格为6.00美元，环比上月上涨9.1%；DDR48Gb合约价格为13.00美元，环比上月上升13.0%；DDR416Gb合约价格为29.50美元，环比上月上涨13.5%。(divcenter)图1:DDR34Gb合约价格走势（美元）(/divcenter)DDR3/DDR4现货价格：截至4月20日，DDR34Gb现货价较3月底上涨7.0%，DDR48Gb