《存储行业深度：发展现状、市场规模、竞争格局、产业链及相关公司深度梳理-260309（28页）.pdf》由会员分享，可在线阅读，更多相关《存储行业深度：发展现状、市场规模、竞争格局、产业链及相关公司深度梳理-260309（28页）.pdf（28页珍藏版）》请在三个皮匠报告上搜索。

1、存储行业深度：发展现状、市场规模、竞争格局、产业链及相关公司深度梳理去年9月至今，受需求爆发式增长、产能断崖式紧缺等因素影响，全球存储器市场缺口扩大，存储芯片价格持续上涨，近1个多月以来涨幅呈现扩大态势。当前存储芯片正处于上涨周期。年内来看，在AI服务器算力需求持续增长的带动下，全球存储芯片市场供不应求局面仍将持续，存储芯片价格将延续上涨态势。一、存储行业概述1.存储器存储器是用来存储数据、信息和各类程序软件的记忆部件。依据存储介质不同，可以分为半导体存储、磁性存储和光学存储；其中，半导体存储器是以半导体电路作为存储媒介、用于保存二进制数据的记忆设备，是市面上的主流存储器，具有体积小、存储速度

2、快、存储密度高、与逻辑电路接口容易等优点；被广泛应用于各类电子产品中。存储器按照电源在关断后数据是否被保存可分为RAM（随机存储器）、ROM（只读存储器）和新型RAM（基于新材料研制而成，尚未实现商业化）。其中，RAM大头是DRAM、ROM大头是NANDFlash为主。(divcenter)存储器产品分类(/divcenter)DRAM（动态随机存取存储器、断电后数据丢失）是存储器细分产品中的营收占比最大的产品。DRAM基本存储单元由一个晶体管和一个电容（1T1C）构成，被广泛应用在主机内存上，产品主要分为DDR、LPDDR、GDDR、HBM等。HBM是3D堆叠构成的“高带宽、高速”DRAM内

3、存，其DRAMdie之间以TSV连接；通过3D堆叠，HBM实现内存容量与带宽瓶颈的突破。由于HBM的带宽领先其他技术一个数量级之多，更好适配高度并行计算、科学计算、计算机视觉、AI等使用场景。NANDFlash是最为常见的非易失存储介质，其标准化的生产过程、容量大、且断电不会丢失存储信息的特征，决定了NANDFlash被广泛应用在资料存储的应用属性。二、存储行业发展现状1.存储市场正迎来持续演绎的“超级周期”，价格上行态势强劲且仍有扩张空间存储市场正迎来持续演绎的“超级周期”，价格上行态势强劲且仍有扩张空间。根据安兔兔公众号，自去年9月起，存储板块迈入价格快速攀升通道，DRAM（内存）与NAN

4、DFlash（闪存）现货价累计涨幅已超300%，第四季度合约价同比上涨75%，其中DDR5颗粒单月涨幅更突破90%。此轮涨价的核心驱动力源于AI应用中“以存代算”技术的普及全球约66%的DRAM产能已被AI服务器吸纳，三星、SK海力士及美光等企业更将70%产能倾斜至高利润的HBM（高带宽内存）与DDR5产品，此举直接导致消费级芯片出现20%的供应缺口。CounterpointResearch指出，在AI与服务器需求的双重激增下，存储市场已进入超越2018年历史高点的超级牛市阶段，供应商议价能力攀至历史峰值。TrendForce进一步预测，2026年第一季度，随着DRAM原厂大规模向服务器、HB

5、M领域转移先进制程与新产能以满足AI需求，普通DRAM合约价将环比大增55%-60%；而NANDFlash受限于产能管控及服务器强势采购对其他应用的挤压，各类产品合约价仍将延续33%-38%的涨幅。多重因素叠加下，存储价格的上涨动能有望持续释放。2.存储芯片价格上涨正逐步传导至消费电子终端产品厂商通过减配的方式缓解成本上涨压力的空间有限，上调终端价格将成为普遍趋势。目前联想、戴尔、惠普等主要电脑厂商均已发布调价函，涨幅普遍在500至1500元之间，小米、vivo等国产新发售机型相同存储配置版本价格较上一代上涨300至500元。受存储芯片价格上涨及对下游的传导影响，PPI方面，计算机、通信及其他

6、电子设备制造业分项价格有望止跌企稳，对PPI的拖累作用有所减弱。三、存储行业产业链及商业模式1.产业链情况存储器产业链情况：原厂掌握产业链核心技术，并推动技术迭代与标准制定。据江波龙招股说明书，存储器产业链从上至下分别为：晶圆厂、主控芯片、封装测试、存储模组与产品供应商、存储品牌商、下游具体应用场景等。其中，上游晶圆厂即存储“原厂”，是业内对具备自有晶圆制造能力的存储芯片厂商的通称，掌握核心颗粒（Die）的制造权，如三星、美光、海力士、长鑫存储等。原厂拥有晶圆制造能力，掌握制程工艺、架构设计等核心技术，是存储芯片性能、寿命、功耗等指标的决定者，同时控制着行业最关键的产能资源。此外，原厂还推动行